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参数资料
| 型号： | MUR130RLG |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/7页 |
| 文件大小： | 115K |
| 描述： | DIODE ULTRA FAST 1A 300V DO-41 |
| 标准包装： | 5,000 |
| 系列： | SWITCHMODE™ |
| 二极管类型： | 标准 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 300V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 1A |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1.25V @ 1A |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 反向恢复时间(trr)： | 75ns |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 5µA @ 300V |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 供应商设备封装： | 轴向 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
MUR120 Series
http://onsemi.com
3
MUR105, MUR110, MUR115, MUR120
Figure 1. Typical Forward Voltage
vF,
INSTANTANEOUS VOLTAGE (VOLTS)
0.3 0.60.4 0.80.5
0.7 0.9 1.1
3.0
0.01
0.03
0.02
0.2
0.1
10
2.0
0.7
0.3
0.05
0.5
5.0
, INSTANTANEOUS FORWARD CURRENT (AMPS)
F
1.3
VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
06020 80 20040 100 120
140
160 180
100
0.01
0.001
1.0
10
TJ
= 175
°C
I
R
Figure 2. Typical Reverse Current*
IF(AV), AVERAGE FORWARD CURRENT (AMPS)
0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
P
F(AV)
0
0.5 1.0 1.5 2.0 2.5
TA, AMBIENT TEMPERATURE (°C)
050100 200
0
2.0
1.0
3.0
5.0
4.0
I
250
Figure 3. Current Derating
(Mounting Method #3 Per Note 1)
Figure 4. Power Dissipation
0
10
30
50
5.0
10 20
VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 5. Typical Capacitance
0.07
1.0
7.0
1.0 1.2
100°C
TJ= 175°C
25°C
0.1
, REVERSE CURRENT ( A)
100°C
25°C
150
* The curves shown are typical for the highest voltage device in the
voltage grouping. Typical reverse current for lower voltage selections
can be estimated from these same curves if VR
is sufficiently below
rated VR.
C, CAPACITANCE (pF)
, AVERAGE POWER DISSIPATION (WATTS)
TJ
= 25
°C
i
, AVERAGE FORWARD CURRENT (AMPS)
F(AV)
30 40 50
7.0
20
TJ
= 175
°C
RATED VR
RJA
= 50
°C/W
dc
SQUARE WAVE
(CAPACITIVELOAD)
PK
I
20
AV
I
SQUARE WAVE
dc
5.0
10
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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