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参数资料
| 型号： | MUR1520CT |
| 元件分类： | 整流器 |
| 英文描述： | 15 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AC |
| 封装： | TO-220AC, 3 PIN |
| 文件页数： | 2/8页 |
| 文件大小： | 657K |
| 代理商： | MUR1520CT |
MUR1520, MURB1520, MURB1520-1
Bulletin PD-20727 rev. D 11/04
2
www.irf.com
VBR, Vr
Breakdown Voltage,
200
-
V
IR = 100A
Blocking Voltage
VF
Forward Voltage
-
1.05
V
IF = 15A
-
0.85
V
IF = 15A, TJ = 150°C
IR
Reverse Leakage Current
-
10
A
VR = VR Rated
-
500
A
TJ = 150°C, VR = VR Rated
CT
Junction Capacitance
-
55
-
pF
VR = 200V
LS
Series Inductance
-
8.0
-
nH
.
Parameters
Min
Typ
Max
Units
TJ
Max. Junction Temperature Range
-
- 65 to 175
°C
TStg
Max. Storage Temperature Range
-
- 65 to 175
RthJC
Thermal Resistance, Junction to Case
-
1.5
°C/ W
RthJA
Thermal Resistance, Junction to Ambient
-
50
RthCS
Thermal Resistance, Case to Heatsink
-
0.5
-
Wt
Weight
-
2.0
-
g
-
0.07
-
(oz)
Mounting Torque
6.0
-
12
Kg-cm
5.0
-
10
lbf.in
Electrical Characteristics @ TJ = 25°C (unless otherwise specified)
Thermal - Mechanical Characteristics
trr
Reverse Recovery Time
--
35
ns
IF = 1.0A, diF/dt = 50A/s, VR = 30V
-22
-
TJ = 25°C
-39
-
TJ = 125°C
IRRM
Peak Recovery Current
-
1.6
-
A
TJ = 25°C
-
4.1
-
TJ = 125°C
Qrr
Reverse Recovery Charge
-
19
-
nC
TJ = 25°C
-90
-
TJ = 125°C
Dynamic Recovery Characteristics @ TJ = 25°C (unless otherwise specified)
I
F = 15A
VR = 160V
diF /dt = 200A/s
Mounting Surface, Flat, Smooth and Greased
Parameters
Min Typ Max Units Test Conditions
Parameters
Min Typ Max Units Test Conditions
Measured lead to lead 5mm from package body
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MURB1520CT | 15 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| MURB1520CT-1PBF | 15 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-262AA |
| MUR1520CTPBF | 15 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AC |
| MUR1610CT-BP | 16 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB |
| MUR1620CT-BP | 16 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| MUR1520REVC | 制造商:MOT 功能描述:* |
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