参数资料
型号: MUR160GP-BP
厂商: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS
元件分类: 二极管(射频、小信号、开关、功率)
英文描述: 1 A, 600 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41
封装: PLASTIC PACKAGE-2
文件页数: 3/4页
文件大小: 353K
代理商: MUR160GP-BP
trr
+0.5A
0
-0.25
-1.0
1cm
Set Time Base for 20/100ns/cm
25Vdc
1
50
10
Oscilloscope
Note 1
Pulse
Generator
Note 2
Notes:
1. Rise Time = 7ns max.
Input impedance = 1 megohm, 22pF
2. Rise Time = 10ns max.
Source impedance = 50 ohms
3. Resistors are non-inductive
Figure 6
Reverse Recovery Time Characteristic And Test Circuit Diagram
1
100
4
0
10
8
Figure 5
Peak Forward Surge Current
Peak Forward Surge Current - Amperes versus
Number Of Cycles At 60Hz - Cycles
Amps
Cycles
2
6
10
20
60 80
40
20
30
Figure 4
Typical Reverse Characteristics
Instantaneous Reverse Leakage Current - MicroAmperes versus
Percent Of Rated Peak Reverse Voltage - Volts
Volts
4
6
20
10
Amps
2
120
4
60
80
100
.01
.02
.04
.06
.1
.2
.4
.6
1
2
TA=25
°C
40
60
100
140
TA=100
°C
TA=150
°C
MUR105GP thru MUR160GP
MCC
TM
Micro Commercial Components
www.mccsemi.com
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Revision: A
2011/01/01
相关PDF资料
PDF描述
MUR120/23 1 A, 200 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-204AC
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相关代理商/技术参数
参数描述
MUR160GP-TP 功能描述:DIODE RECT GPP 1A 600V V DO-41 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 单二极管/整流器 系列:- 标准包装:100 系列:- 二极管类型:标准 电压 - (Vr)(最大):50V 电流 - 平均整流 (Io):6A 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大):1.4V @ 6A 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):300ns 电流 - 在 Vr 时反向漏电:15µA @ 50V 电容@ Vr, F:- 安装类型:底座,接线柱安装 封装/外壳:DO-203AA,DO-4,接线柱 供应商设备封装:DO-203AA 包装:散装 其它名称:*1N3879
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MUR160RLG 功能描述:整流器 600V 1A UltraFast RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel