参数资料
型号: MUR2100E
厂商: ON Semiconductor
文件页数: 2/5页
文件大小: 60K
描述: DIODE ULTRA FAST 2A 1KV DO-41
产品变化通告: Product Obsolescence 19/Jun/2009
产品目录绘图: Rectifier DO-41 Pkg
标准包装: 1,000
系列: SWITCHMODE™
二极管类型: 标准
电压 - (Vr)(最大): 1000V(1kV)
电流 - 平均整流 (Io): 2A
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大): 2.2V @ 2A
速度: 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)
反向恢复时间(trr): 100ns
电流 - 在 Vr 时反向漏电: 10µA @ 1000V
安装类型: 通孔
封装/外壳: DO-204AL,DO-41,轴向
供应商设备封装: 轴向
包装: 散装
MUR2100E
http://onsemi.com
2
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Symbol
Value
Unit
Maximum Instantaneous Forward Voltage (Note 2)
(IF
= 2.0 A, T
J
= 150
°C)
(IF
= 2.0 A, T
J
= 25
°C)
VF
1.75
2.20
V
Maximum Instantaneous Reverse Current (Note 2)
(Rated dc Voltage, TJ
= 100
°C)
(Rated dc Voltage, TJ
= 25
°C)
iR
600
10
A
Maximum Reverse Recovery Time
(IF
= 1.0 A, di/dt = 50 A/
s)
(IF
= 0.5 A, I
R
= 1.0 A, I
REC
= 0.25 A)
trr
100
75
ns
Maximum Forward Recovery Time
(IF
= 1.0 A, di/dt = 100 A/
s, IREC
to 1.0 V)
tfr
75
ns
Controlled Avalanche Energy (See Test Circuit in Figure 6)
WAVAL
10
mJ
2. Pulse Test: Pulse Width = 300 s, Duty Cycle ≤
2.0%.
VF, INSTANTANEOUS VOLTAGE (V)
Figure 1. Maximum Forward Voltage
Figure 2. Typical Forward Voltage
VF,
INSTANTANEOUS VOLTAGE (V)
0.1
1.0
10
0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5
100°C
VF
@ 175°C
25°C
150°C
I
F
, INSTANTANEOUS FORWARD
CURRENT (A)
0.1
1.0
10
0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5
100°C
VF
@ 175°C
25°C
150°C
I
F
, INSTANTANEOUS FORWARD
CURRENT (A)
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PDF描述
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VI-24W-CX-F4 CONVERTER MOD DC/DC 5.5V 75W
T86D107M6R3EBSS CAP TANT 100UF 6.3V 20% 2917
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参数描述
MUR2100E/D 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:SWITCHMODE? Power Rectifier
MUR2100EG 功能描述:整流器 1000V 2A UltraFast RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel
MUR2100EG 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Ultra Fast Recovery Power Rectifier
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