参数资料
型号: MUR2100EG
厂商: ON Semiconductor
文件页数: 2/5页
文件大小: 60K
描述: DIODE ULTRA FAST 2A 1KV DO-41
产品目录绘图: Rectifier DO-41 Pkg
标准包装: 1,000
系列: SWITCHMODE™
二极管类型: 标准
电压 - (Vr)(最大): 1000V(1kV)
电流 - 平均整流 (Io): 2A
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大): 2.2V @ 2A
速度: 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)
反向恢复时间(trr): 100ns
电流 - 在 Vr 时反向漏电: 10µA @ 1000V
安装类型: 通孔
封装/外壳: DO-204AL,DO-41,轴向
供应商设备封装: 轴向
包装: 散装
产品目录页面: 1566 (CN2011-ZH PDF)
其它名称: MUR2100EG-ND
MUR2100EGOS
MUR2100E
http://onsemi.com
2
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Symbol
Value
Unit
Maximum Instantaneous Forward Voltage (Note 2)
(IF
= 2.0 A, T
J
= 150
°C)
(IF
= 2.0 A, T
J
= 25
°C)
VF
1.75
2.20
V
Maximum Instantaneous Reverse Current (Note 2)
(Rated dc Voltage, TJ
= 100
°C)
(Rated dc Voltage, TJ
= 25
°C)
iR
600
10
A
Maximum Reverse Recovery Time
(IF
= 1.0 A, di/dt = 50 A/
s)
(IF
= 0.5 A, I
R
= 1.0 A, I
REC
= 0.25 A)
trr
100
75
ns
Maximum Forward Recovery Time
(IF
= 1.0 A, di/dt = 100 A/
s, IREC
to 1.0 V)
tfr
75
ns
Controlled Avalanche Energy (See Test Circuit in Figure 6)
WAVAL
10
mJ
2. Pulse Test: Pulse Width = 300 s, Duty Cycle ≤
2.0%.
VF, INSTANTANEOUS VOLTAGE (V)
Figure 1. Maximum Forward Voltage
Figure 2. Typical Forward Voltage
VF,
INSTANTANEOUS VOLTAGE (V)
0.1
1.0
10
0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5
100°C
VF
@ 175°C
25°C
150°C
I
F
, INSTANTANEOUS FORWARD
CURRENT (A)
0.1
1.0
10
0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5
100°C
VF
@ 175°C
25°C
150°C
I
F
, INSTANTANEOUS FORWARD
CURRENT (A)
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PDF描述
TH3B225K035C2500 CAP TANT 2.2UF 35V 10% 1411
REC5-2409SRWZ/H4/A/SMD CONV DC/DC 5W 9-36VIN 09VOUT
P51-2000-A-AA-I12-5V-000-000 SENS 2000PSI 5/8" 7/16-20 UNF 5V
REC3-2412SRW/H6/A/SMD-R CONV DC/DC 3W 18-36VIN 12VOUT
P51-50-A-Z-I36-4.5V-000-000 SENSOR 50PSI 1/4-18NPT .5-4.5V
相关代理商/技术参数
参数描述
MUR2100EG 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Ultra Fast Recovery Power Rectifier
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