参数资料
型号: MUR4100ERLG
厂商: ON Semiconductor
文件页数: 3/6页
文件大小: 127K
描述: DIODE ULT FAST 4A 1000V DO-201AD
产品目录绘图: Rectifier DO-201AD Pkg
标准包装: 10
系列: SWITCHMODE™
二极管类型: 标准
电压 - (Vr)(最大): 1000V(1kV)
电流 - 平均整流 (Io): 4A
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大): 1.85V @ 4A
速度: 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)
反向恢复时间(trr): 100ns
电流 - 在 Vr 时反向漏电: 25µA @ 1000V
安装类型: 通孔
封装/外壳: DO-201AA,DO-27,轴向
供应商设备封装: DO-201AD
包装: 剪切带 (CT)
产品目录页面: 1566 (CN2011-ZH PDF)
其它名称: MUR4100ERLGOSCT
MUR480EG, MUR4100EG
http://onsemi.com
3
MUR480EG, MUR4100EG
Figure 1. Typical Forward Voltage
vF,
INSTANTANEOUS VOLTAGE (VOLTS)
0.2 0.80.4 1.20.6 1.0 1.4
0.03
0.1
0.3
0.2
2.0
1.0
0.02
0
20
7.0
3.0
0.5
5.0
0.05
, INSTANTANEOUS FORWARD CURRENT (AMPS)
F
VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
0.001
0 200100 400300 700500
600
40
1020
400
100200
0.010.02
0.0020.004
2.01.0
0.4
0.10.2
4.0
TJ
= 175
°C
I
R
Figure 2. Typical Reverse Current*
TA, AMBIENT TEMPERATURE (°C)
050100 150
0
4.0
2.0
6.0
10
8.0
I
200
Figure 3. Current Derating
(Mounting Method #3 Per Note 2)
Figure 4. Power Dissipation
0 2.01.0 3.0 5.0
2.0
4.0
6.0
8.0
0
4.0
IF(AV), AVERAGE FORWARD CURRENT (AMPS)
P
F(AV)
Figure 5. Typical Capacitance
0.7
10
0.07
1.6 1.8 2
100°C
TJ= 175°C
25°C
0.04
, REVERSE CURRENT ( A)
100°C
25°C
, AVERAGE POWER DISSIPATION (WATTS)
(Capacitive
IPK
=20
IAV
dc
SQUAREWAVE
i
10
1.0
3.0
, AVERAGE FORWARD CURRENT (AMPS)
F(AV)
SQUARE WAVE
dc
Rated VR
RJA
= 28
°C/W
250
40
20
30
70
10
VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
C, CAPACITANCE (pF)
50
60
7.0
0
10
8.0
9.0
20 30 5040
TJ
= 25
°C
5.0
10
Load)
800 900 1000
1000
*The curves shown are typical for the highest voltage
device in the voltage grouping. Typical reverse current
for lower voltage selections can be estimated from these
same curves if VR
is sufficiently below rated V
R.
5.0
7.0
9.0
TJ= 175°C
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PDF描述
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