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参数资料
| 型号： | MUR410RL |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 5/8页 |
| 文件大小： | 113K |
| 描述： | DIODE ULTR FAST 4A 100V DO-201AD |
| 标准包装： | 10 |
| 系列： | SWITCHMODE™ |
| 二极管类型： | 标准 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 100V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 4A |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 890mV @ 4A |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 反向恢复时间(trr)： | 35ns |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 5µA @ 100V |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | DO-201AA，DO-27，轴向 |
| 供应商设备封装： | DO-201AD |
| 包装： | 剪切带 (CT) |
| 其它名称： | MUR410RLOSCT |
MUR405, MUR410, MUR415, MUR420, MUR440, MUR460
http://onsemi.com
5
MUR440, MUR460
Figure 6. Typical Forward Voltage
vF,
INSTANTANEOUS VOLTAGE (VOLTS)
0.5 1.10.7 1.50.9 1.3 1.7
0.03
0.1
0.3
0.2
2.0
1.0
0.020.3
20
7.0
3.0
0.5
5.0
0.05
, INSTANTANEOUS FORWARD CURRENT (AMPS)
F
VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
0.004
0 200100 400300 700500
600
40
20
80
0.008
400
200
0.8
0.4
0.2
4.0
2.0
8.0
TJ
= 175
°C
I
R
Figure 7. Typical Reverse Current
Figure 8. Current Derating
(Mounting Method #3 Per Note 2)
Figure 9. Power Dissipation
0 2.01.0 3.0 5.0 7.0
2.0
4.0
6.0
8.0
0
4.0 6.0 8.0
IF(AV), AVERAGE FORWARD CURRENT (A)
P
F(AV)
Figure 10. Typical Capacitance
0.7
10
0.07
1.9 2.1 2.3
100°C
TJ= 175°C
25°C
0.08
0.04
0.02
, REVERSE CURRENT ( A)
100°C
25°C
, AVERAGE POWER DISSIPATION (WATTS)
(Capacitive
IPK
=20
IAV
dc
SQUAREWAVE
i
10
12
14
40
20
30
4.0
10
VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
C, CAPACITANCE (pF)
5.0
6.0
7.0
8.0
9.0
10
20 30 5040
0
TJ
= 25
°C
9.0 10
5.0
10
Load)
TA, AMBIENT TEMPERATURE (°C)
0 20 40 60 80 100 120 140 160 180 200
0
1
2
3
4
5
6
7
8
Rated VR
RJA
= 28
°C/W
SQUAREWAVE
DC
I
F(AV)
, AVERAGE FORWARD CURRENT
(A)
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MUR410RLG | 功能描述:整流器 100V 4A UltraFast RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
| MUR410-TP | 功能描述:DIODE ULT FAST 4A 100V DO-201AD RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 单二极管/整流器 系列:- 标准包装:100 系列:- 二极管类型:标准 电压 - (Vr)（最大）:50V 电流 - 平均整流 (Io):6A 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）:1.4V @ 6A 速度:快速恢复 = 200mA（Io） 反向恢复时间(trr):300ns 电流 - 在 Vr 时反向漏电:15µA @ 50V 电容@ Vr, F:- 安装类型:底座，接线柱安装 封装/外壳:DO-203AA，DO-4，接线柱 供应商设备封装:DO-203AA 包装:散装 其它名称:*1N3879 |
| MUR415 | 功能描述:整流器 150V 4A UltraFast RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
| MUR415G | 功能描述:整流器 150V 4A UltraFast RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
| MUR415G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:ULTRA FAST RECOVERY POWER RECTIFIER |
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