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参数资料
| 型号： | MUR410RLG |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 2/8页 |
| 文件大小： | 113K |
| 描述： | DIODE ULTR FAST 4A 100V DO-201AD |
| 产品目录绘图： | Rectifier DO-201AD Pkg |
| 标准包装： | 10 |
| 系列： | SWITCHMODE™ |
| 二极管类型： | 标准 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 100V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 4A |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 890mV @ 4A |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 反向恢复时间(trr)： | 35ns |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 5µA @ 100V |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | DO-201AA，DO-27，轴向 |
| 供应商设备封装： | DO-201AD |
| 包装： | 剪切带 (CT) |
| 产品目录页面： | 1566 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | MUR410RLGOSCT |
MUR405, MUR410, MUR415, MUR420, MUR440, MUR460
http://onsemi.com
2
MAXIMUM RATINGS
Rating
Symbol
MUR
Unit
405
410
415
420
440
460
Peak Repetitive Reverse Voltage
Working Peak Reverse Voltage
DC Blocking Voltage
V
V
RRM
RWM
VR
50
100
150
200
400
600
V
Average Rectified Forward Current (Square Wave)
(Mounting Method #3 Per Note 2)
IF(AV)
4.0 @ TA
= 80
°C
4.0 @
TA
= 40
°C
A
Nonrepetitive Peak Surge Current
(Surge applied at rated load conditions, half wave, single phase, 60 Hz)
IFSM
125
110
A
Operating Junction Temperature & Storage Temperature
TJ, Tstg
65 to +175
°C
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum Ratings are stress ratings only. Functional operation above t
he
Recommended Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the Recommended Operating Conditions may affect
device reliability.
THERMAL CHARACTERISTICS
Rating
Symbol
MUR
Unit
405
410
415
420
440
460
Maximum Thermal Resistance, Junction?to?Ambient
RJA
See Note 2
°C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Rating
Symbol
MUR
Unit
405
410
415
420
440
460
Maximum Instantaneous Forward Voltage (Note 1)
(iF
= 3.0 A, T
J
= 150
°C)
(iF
= 3.0 A, T
J
= 25
°C)
(iF
= 4.0 A, T
J
= 25
°C)
vF
0.71
0.88
0.89
1.05
1.25
1.28
V
Maximum Instantaneous Reverse Current (Note 1)
(Rated dc Voltage, TJ
= 150
°C)
(Rated dc Voltage, TJ
= 25
°C)
iR
150
5
250
10
A
Maximum Reverse Recovery Time
(IF
= 1.0 A, di/dt = 50 A/
s)
(IF
= 0.5 A, i
R
= 1.0 A, I
REC
= 0.25 A)
trr
35
25
75
50
ns
Maximum Forward Recovery Time
(IF
= 1.0 A, di/dt = 100 A/
s, Recovery to 1.0 V)
tfr
25
50
ns
Controlled Avalanche Energy (Maximum)
Waval
5
mJ
Typical Peak Reverse Recovery Current
(IF
= 1.0 A, di/dt = 50 A/
s)
IRM
0.8
1.7
A
1. Pulse Test: Pulse Width = 300 s, Duty Cycle
2.0%.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| P51-3000-S-H-P-4.5OVP-000-000 | SENSOR 3000PSI M12-1.5 6G 4.5V |
| REC3-2405DRW/H/B/SMD | CONV DC/DC 3W 18-36VIN +/-05VOUT |
| P51-2000-S-U-I12-4.5V-000-000 | SENSOR 2000PSI 7/16-20-2B 4.5V |
| P51-75-S-E-M12-4.5V-000-000 | SENSOR 75PSI 3/8-24 UNF .5-4.5V |
| REC5-0512DRW/H4/C/SMD | CONV DC/DC 5W 4.5-9VIN +/-12VOUT |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MUR410-TP | 功能描述:DIODE ULT FAST 4A 100V DO-201AD RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 单二极管/整流器 系列:- 标准包装:100 系列:- 二极管类型:标准 电压 - (Vr)（最大）:50V 电流 - 平均整流 (Io):6A 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）:1.4V @ 6A 速度:快速恢复 = 200mA（Io） 反向恢复时间(trr):300ns 电流 - 在 Vr 时反向漏电:15µA @ 50V 电容@ Vr, F:- 安装类型:底座，接线柱安装 封装/外壳:DO-203AA，DO-4，接线柱 供应商设备封装:DO-203AA 包装:散装 其它名称:*1N3879 |
| MUR415 | 功能描述:整流器 150V 4A UltraFast RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
| MUR415G | 功能描述:整流器 150V 4A UltraFast RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
| MUR415G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:ULTRA FAST RECOVERY POWER RECTIFIER |
| MUR415-LFR | 制造商:FRONTIER 制造商全称:Frontier Electronics. 功能描述:4A FAST EFFICIENT RECTIFIER |
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