参数资料
型号: MUR8100E
厂商: Fairchild Semiconductor
文件页数: 3/6页
文件大小: 651K
描述: DIODE UFAST 1000V 8A TO-220AC
标准包装: 50
二极管类型: 标准
电压 - (Vr)(最大): 1000V(1kV)
电流 - 平均整流 (Io): 8A
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大): 1.8V @ 8A
速度: 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)
反向恢复时间(trr): 100ns
电流 - 在 Vr 时反向漏电: 100µA @ 1000V
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-220-2
供应商设备封装: TO-220AC
包装: 管件
其它名称: MUR8100EFS
FIGURE 3. trr, ta
AND t
b
CURVES vs FORWARD CURRENT
FIGURE 4. trr, ta
AND t
b
CURVES vs FORWARD CURRENT
FIGURE 5. trr, ta
AND t
b
CURVES vs FORWARD CURRENT
FIGURE 6. CURRENT DERATING CURVE
FIGURE 7. JUNCTION CAPACITANCE vs REVERSE VOLTAGE
Typical Performance Curves
(Continued)
IF, FORWARD CURRENT (A)
0.5
0
80
20
8
1
40
60
t, RECOVERY TIMES (ns)
4
tb
100
trr
ta
TC
= 25
oC, dIF/dt = 200A/μs
TC
= 100
oC, dIF/dt = 200A/μs
ta
trr
tb
25
50
75
t, RECOVERY TIMES (ns)
IF, FORWARD CURRENT (A)
0
0.5
100
125
8
1
4
125
75
t, RECOVERY TIMES (ns)
IF, FORWARD CURRENT (A)
0
0.5 814
ta
50
150
trr
tb
25
100
TC
= 175
oC, dIF/dt = 200A/μs
2
0
140 150 160 175145
155
165
170
4
6
8
TC, CASE TEMPERATURE (oC)
I
F(AV)
, AVERAGE FORWARD CURRENT (A)
DC
SQ. WAVE
VR, REVERSE VOLTAGE (V)
40
20
0
0
80
50
100
150
200
C
J
, JUNCTION CAPACITANCE (pF)
100
60
MUR8100E, RURP8100
?2001 Fairchild Semiconductor Corporation
MUR8100E, RURP8100 Rev. C1
3
www.fairchildsemi.com
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PDF描述
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