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参数资料
| 型号： | MURB1060CT |
| 厂商： | SENSITRON SEMICONDUCTOR |
| 元件分类： | 参考电压二极管 |
| 英文描述： | 10 A, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 封装： | PLASTIC, D2-PARK-3 |
| 文件页数： | 2/3页 |
| 文件大小： | 122K |
| 代理商： | MURB1060CT |
SENSITRON
SEMICONDUCTOR
221 West Industry Court
Deer Park, NY 11729-4681
(631) 586-7600 FAX (631) 242-9798
World Wide Web Site - http://www.sensitron.com E-Mail Address - sales@sensitron.com
MURB1060CT
Data Sheet M2613, Rev. –
Maximum Ratings:
Characteristics
Symbol
Condition
Max.
Units
Peak Inverse Voltage
VRWM
-
600
V
Max. Average Forward
Io(AV)
50Hz, Sine wave,TC=90°C,
10
A
Max. Peak One Cycle Non-
Repetitive Surge Current
(Per leg)
IFSM
50Hz, Half Sine wave
80
A
Electrical Characteristics:
Characteristics
Symbol
Condition
Max.
Units
Max. Forward Voltage Drop
(Per leg)*
VF
@ IF=4A, Pulse, TJ = 25
°C
1.55
V
IR1
@VR = rated VR
TJ = 25
°C
2
A
Max. Reverse Current
(Per leg)*
IR2
@VR = rated VR
TJ = 150
°C
500
A
Max. Reverse Recovery Time
(Per leg)*
trr
IF=500mA, IR=1A,and Irm=250mA
30
ns
* Pulse width < 300 s, duty cycle < 2%
Thermal-Mechanical Specifications:
Characteristics
Symbol
Condition
Specification
Units
Max. Junction Temperature
TJ
-
-55 to +175
°C
Max. Storage Temperature
Tstg
-
-55 to +175
°C
Maximum Thermal
Resistance Junction to Case
RθJC
3
°C/W
Approximate Weight
wt
-
2
g
Case Style
D2-PAK
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MURB1610CT | 16 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
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| MURH860 | 40 AMP MINI-ISO AUTOMOTIVE RELAY |
| MURM110T3 | 1 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-216AA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| MURB1520-1TRLPBF | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Ultrafast Rectifier, 8 A FRED Pt |
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