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参数资料
| 型号： | MURB1620CTRG |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 2/6页 |
| 文件大小： | 134K |
| 描述： | DIODE ULTRA FAST 200V 8A D2PAK |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | SWITCHMODE™ |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1.2V @ 8A |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 5µA @ 200V |
| 电流 - 平均整流 (Io)（每个二极管）： | 8A |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 200V |
| 反向恢复时间(trr)： | 85ns |
| 二极管类型： | 标准 |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 二极管配置： | 1 对共阳极 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | D2PAK |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | MURB1620CTRG-ND MURB1620CTRGOS |
MUR1620CTRG, MURB1620CTRG, NRVUB1620CTRT4G
http://onsemi.com
2
MAXIMUM RATINGS (Per Leg)
Rating
Symbol
Value
Unit
Peak Repetitive Reverse Voltage
Working Peak Reverse Voltage
DC Blocking Voltage
V
V
RRM
RWM
VR
200
V
Average Rectified Forward Current
(Rated VR, TC
= 160
°C)
Per Leg
Per Total Device
IF(AV)
8.0
16
A
Peak Repetitive Surge Current
(Rated VR, Square Wave, 20 kHz, TC
= 140
°C)
Per Diode
IFM
16
A
Non?Repetitive Peak Surge Current
(Surge Applied at Rated Load Conditions Halfwave, Single Phase, 60 Hz)
IFSM
100
A
Operating Junction and Storage Temperature Range
TJ, Tstg
?65 to +175
°C
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum Ratings are stress ratings only. Functional operation above t
he
Recommended Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the Recommended Operating Conditions may affect
device reliability.
THERMAL CHARACTERISTICS (Per Leg)
Characteristic
Symbol
Value
Unit
Thermal Resistance, Junction?to?Case
RJC
2.0
°C/W
Thermal Resistance, Junction?to?Ambient (D2PAK)
RJA
45
°C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Per Leg)
Characteristic
Symbol
Value
Unit
Maximum Instantaneous Forward Voltage (Note 1)
(iF
= 8.0 Amps, T
C
= 25
°C)
(iF
= 8.0 Amps, T
C
= 150
°C)
vF
1.2
1.1
V
Maximum Instantaneous Reverse Current (Note 1)
(Rated dc Voltage, TC
= 25
°C)
(Rated dc Voltage, TC
= 150
°C)
iR
5.0
500
A
Maximum Reverse Recovery Time
(IF
= 1.0 Amp, di/dt = 50 Amps/
s)
trr
85
ns
1. Pulse Test: Pulse Width = 5.0 ms, Duty Cycle ≤
10%.
ORDERING INFORMATION
Device
Package
Shipping?
MUR1620CTRG
TO?220
(Pb?Free)
50 Units / Rail
MURB1620CTRG
D2PAK?3
(Pb
?Free)
50 Units / Rail
MURB1620CTRT4G
D2PAK?3
(Pb
?Free)
800 / Tape & Reel
NRVUB1620CTRT4G
D2PAK?3
(Pb
?Free)
800 / Tape & Reel
?For information on tape and reel specifications, including part orientation and tape sizes, please refer to our Tape and Reel Packaging
Specifications Brochure, BRD8011/D.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MBRB20200CTG | DIODE SCHOTTKY DUAL 200V D2PAK |
| RCC08DRYH | CONN EDGECARD 16POS DIP .100 SLD |
| RMA44DTKI | CONN EDGECARD 88POS DIP .125 SLD |
| EEM24DCAH | CONN EDGECARD 48POS R/A .156 SLD |
| RBC07DRTS | CONN EDGECARD 14POS DIP .100 SLD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MURB1620CTRT4 | 功能描述:整流器 200V 16A Ultrafast RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
| MURB1620CTRT4G | 功能描述:整流器 200V 16A Ultrafast Common Anode RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
| MURB1620CT-T | 功能描述:整流器 16A 0 RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
| MURB1620CTT4 | 功能描述:整流器 200V 16A Ultrafast RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
| MURB1620CTT4G | 功能描述:整流器 200V 16A Ultrafast Common Cathode RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
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