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参数资料
| 型号： | MURD320T4 |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 144K |
| 描述： | DIODE ULTRA FAST 3A 200V DPAK |
| 产品目录绘图： | Rectifier D-Pak Pkg |
| 标准包装： | 10 |
| 系列： | SWITCHMODE™ |
| 二极管类型： | 标准 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 200V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 3A |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 950mV @ 3A |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 反向恢复时间(trr)： | 35ns |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 5µA @ 200V |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | DPAK-3 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | MURD320T4OSDKR |
       MURD320T4G, SURD8320T4G http://onsemi.com 2 THERMAL CHARACTERISTICS Characteristics Symbol Value Unit Thermal Resistance ? Junction ?to?Case RJC 6 ?C/W Thermal Resistance ? Junction ?to?Ambient (Note 1) RJA 80 ?C/W 1. Rating applies when surface mounted on the minimum pad sizes recommended. ELECTRICAL CHARACTERISTICS Characteristics Symbol Value Unit Maximum Instantaneous Forward Voltage Drop (Note 2) (iF = 3 Amps, T J = 25 ?C) (iF = 3 Amps, T J = 125 ?C) vF 0.95 0.75 Volts Maximum Instantaneous Reverse Current (Note 2) (TJ = 25 ?C, Rated dc Voltage) (TJ = 125 ?C, Rated dc Voltage) iR 5 500 A Maximum Reverse Recovery Time (IF = 1 Amp, di/dt = 50 Amps/ s, VR = 30 V, T J = 25 ?C) (IF = 0.5 Amp, i R = 1 Amp, I REC = 0.25 A, V R = 30 V, T J = 25 ?C) trr 35 25 ns 2. Pulse Test: Pulse Width = 300 s, Duty Cycle ? 2.0%. Figure 1. Typical Forward Voltage vF, INSTANTANEOUS VOLTAGE (VOLTS) 0 0.60.2 0.80.4 30 0.1 0.3 0.2 2.0 1.0 100 20 7.0 3.0 0.5 5.0 50 , INSTANTANEOUS FORWARD CURRENT (AMPS) F 1.4 VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS) 06020 80 20040 100 120 140 160 180 40 20 80 0.008 0.004 0.002 0.8 0.4 0.2 4.0 2.0 8.0 TJ = 175 ?C I R Figure 2. Typical Reverse Current* IF(AV), AVERAGE FORWARD CURRENT (AMPS) 0 3.01.0 102.0 4.0 9.05.0 6.0 7.0 8.0 1.0 0 2.0 3.0 5.0 4.0 14 7.0 6.0 P Figure 3. Average Power Dissipation 0.7 10 70 1.0 1.2 100?C TJ= 25?C 175?C 0.08 0.04 0.02 , REVERSE CURRENT ( A) 100?C 25?C 9.0 8.0 * The curves shown are typical for the highest voltage device in the voltage grouping. Typical reverse current for lower voltage selections can be estimated from these curves if VR is sufficiently below rated VR. i 150?C 11 10 13 12 , AVERAGE POWER DISSIPATION (WATTS) F(AV) TJ = 175 ?C IPK/IAV = 20 SINE WAVE SQUARE WAVE dc 10 5.0 150?C |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MURD320T4G | 功能描述:整流器 200V 3A Ultrafast RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
| MURD320T4G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Ultra Fast Recovery Power Rectifier |
| MURD330 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:SWITCHMODE Power Rectifier |
| MURD330T4 | 功能描述:整流器 300V 3A Ultrafast RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
| MURD330T4G | 功能描述:整流器 300V 3A Ultrafast RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
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