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参数资料
| 型号： | MURH840CTG |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 123K |
| 描述： | DIODE ULT FAST 400V 4A TO-220AB |
| 产品目录绘图： | TO-220AB, TO-220, TO-220 ISO |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | MEGAHERTZ™ |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 2.2V @ 4A |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 10µA @ 400V |
| 电流 - 平均整流 (Io)（每个二极管）： | 4A |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 400V |
| 反向恢复时间(trr)： | 28ns |
| 二极管类型： | 标准 |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 二极管配置： | 1 对共阴极 |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220AB |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 1566 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | MURH840CTGOS |
MURH840CT
http://onsemi.com
2
MAXIMUM RATINGS
Rating
Symbol
Value
Unit
Peak Repetitive Reverse Voltage
Working Peak Reverse Voltage
DC Blocking Voltage
V
V
RRM
RWM
VR
400
V
Average Rectified Forward Current
(TC
= 155
°C) Per Leg
Total Device
IF(AV)
4.0
8.0
A
Peak Repetitive Forward Current per Diode Leg
(Square Wave, 20 kHz, TC
= 149
°C)
IFM
8.0
A
Non?Repetitive Peak Surge Current
(Surge Applied at Rated Load Conditions Halfwave, Single Phase, 60 Hz)
IFSM
100
A
Controlled Avalanche Energy
WAVAL
20
mJ
Operating Junction and Storage Temperature Range
TJ, Tstg
?65 to +175
°C
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum Ratings are stress ratings only. Functional operation above t
he
Recommended Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the Recommended Operating Conditions may affect
device reliability.
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Conditions
Symbol
Max
Unit
Maximum Thermal Resistance, Junction?to?Case
Min. Pad
RJC
3.0
°C/W
Maximum Thermal Resistance, Junction?to?Ambient
Min. Pad
RJA
60
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Symbol
Min
Typical
Max
Unit
Maximum Instantaneous Forward Voltage (Note 1)
(iF
= 4.0 A, T
j
= 150
°C)
(iF
= 4.0 A, T
j
= 25
°C)
vF
?
?
1.12
1.45
1.9
2.2
V
Maximum Instantaneous Reverse Current (Note 1)
(Rated dc Voltage, Tj
= 150
°C)
(Rated dc Voltage, Tj
= 25
°C)
iR
?
?
300
4.0
500
10
A
Maximum Reverse Recovery Time
(IF
= 1.0 A, di/dt = 50 A/
s)
trr
?
?
28
ns
1. Pulse Test: Pulse Width = 300 s, Duty Cycle ≤
2.0%.
Figure 1. Typical Forward Voltage Figure 2. Maximum Forward Voltage
0.1
0.4 0.8 1.2 1.6 2.0
VF, INSTANTANEOUS FORWARD VOLTAGE (V)
2.4 2.8 3.2
100
10
1.0
I
F
, INSTANTANEOUS FORWARD CURRENT (A)
175°C
150°C
100°C
25°C
0.1
0.6 1.0 1.4 1.8 2.2
2.6 3.0 5.03.4 3.8 4.2 4.6
VF, INSTANTANEOUS FORWARD VOLTAGE (V)
100
10
1.0
I
F
, INSTANTANEOUS FORWARD CURRENT (A)
175°C
150°C
100°C
25°C
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AK128-.25-R | CABLE AT ADAPT DB9F-DB25M .25M |
| C1005X7R1V473M | CAP CER 0.047UF 35V 20% X7R 0402 |
| GMM08DRMH-S288 | CONN EDGECARD 16POS .156 EXTEND |
| T95Z476M010CSSL | CAP TANT 47UF 10V 20% 2910 |
| MBR2080CTG | DIODE SCHOTTKY 10A 80V TO-220AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MURH860 | 制造商:MCC 制造商全称:Micro Commercial Components 功能描述:8 Amp Super Fast Glass Passivated Rectifier 50 to 600 Volts |
| MURH860CT | 功能描述:整流器 600V 8A Ultrafast RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
| MURH860CT/D | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:MEGAHERTZ? Power Rectifier |
| MURH860CT_06 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:ULTRAFAST RECTIFIER 8.0 AMPERES, 600 VOLTS |
| MURH860CT_08 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:MEGAHERTZ Power Rectifier |
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