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参数资料
| 型号： | MURH860CT |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 131K |
| 描述： | DIODE ULTRA FAST 600V 4A TO220AB |
| 产品变化通告： | Product Discontinuation 27/Jun/2007 |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | MEGAHERTZ™ |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 2.8V @ 4A |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 10µA @ 600V |
| 电流 - 平均整流 (Io)（每个二极管）： | 4A |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 600V |
| 反向恢复时间(trr)： | 35ns |
| 二极管类型： | 标准 |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 二极管配置： | 1 对共阴极 |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220AB |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | MURH860CT-ND MURH860CTOS |
MURH860CT
http://onsemi.com
3
32
28
24
20
16
12
8
4
1234 56 7 80
Q
rr
, RECOVERED STORED CHARGE (nC)
T
rr
, REVERSE RECOVERY TIME (ns)
32
28
24
20
16
12
8
4
0
0
IF(AV), AVERAGE FORWARD CURRENT (AMPS)
Figure 5. Typical Recovery Characteristics
Trr
Qrr
Vr
= 30 V
di/dt = 50 A/s
Figure 6. Typical Capacitance, Per Leg
140
130
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0.1
100
10
1
VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
C, CAPACITANCE (pF)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MURHB840CT | DIODE ULTRA FAST 400V 4A D2PAK |
| MURHB860CTG | DIODE ULTRA FAST 600V 4A D2PAK |
| MURHF860CT | DIODE ULT FAST 600V 4A TO-220FP |
| MW6S004NT1 | MOSFET RF N-CHAN 28V 4W PLD-1.5 |
| MW6S010GNR1 | MOSFET RF N-CH 28V 10W TO270-2GW |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MURH860CT/D | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:MEGAHERTZ? Power Rectifier |
| MURH860CT_06 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:ULTRAFAST RECTIFIER 8.0 AMPERES, 600 VOLTS |
| MURH860CT_08 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:MEGAHERTZ Power Rectifier |
| MURH860CTG | 功能描述:整流器 600V 8A Ultrafast RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
| MURH860CTG | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Ultra Fast Recovery Power Rectifier |
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