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参数资料
| 型号： | MURS120 |
| 厂商： | LITE-ON SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | 二极管(射频、小信号、开关、功率) |
| 英文描述： | 1 A, 200 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
| 封装： | PLASTIC, SMB, 2 PIN |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 67K |
| 代理商： | MURS120 |
MURS120
FEATURES
Glass passivated chip
Super fast switching for high efficiency
For surface mounted applications
Low forward voltage drop and high current capability
Low reverse leakage current
Plastic material has UL flammability classification 94V-0
MECHANICAL DATA
Case : Molded plastic
Polarity : Color band denotes cathode
Weight : 0.003 ounces, 0.093 grams
Marking : U1DB
SMB
All Dimensions in millimeter
SMB
DIM.
MIN.
MAX.
A
C
D
E
F
G
H
B
4.06
4.57
3.94
3.30
1.96
2.21
0.31
0.15
5.21
5.59
0.05
0.20
2.01
2.50
0.76
1.52
C
B
A
H
E
F
G
D
VRMS
VDC
VRRM
I(AV)
IFSM
VF
IR
Maximum Average Forward
Rectified Current
Peak Forward Surge Current
8.3ms single half sine-wave
super imposed on rated load (JEDEC METHOD)
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage
Maximum RMS Voltage
Maximum DC Blocking Voltage
Maximum forward Voltage at 1.0A DC
Maximum DC Reverse Current
at Rated DC Blocking Voltage
@TJ =150 C
@TJ =25 C
1.0
40
0.875
2.0
50
TJ
Operating Temperature Range
-55 to +150
C
TSTG
Storage Temperature Range
-55 to +175
C
Typical Thermal Resistance (Note 3)
R0JL
15
C/W
CJ
Typical Junction Capacitance (Note 2)
27
pF
uA
V
A
V
UNIT
V
CHARACTERISTICS
SYMBOL
@TL =135 C
200
140
200
MURS120
Maximum Reverse Recovery Time (Note 1)
TRR
25
ns
NOTES : 1.Reverse Recovery Test Conditions :IF=0.5A,IR=1.0A,IRR=0.25A.
2.Measured at 1.0MHz and applied reverse voltage of 4.0V DC.
3.Thermal Resistance junction to Lead.
SURFACE MOUNT
SUPER FAST RECTIFIERS
REVERSE VOLTAGE - 200 Volts
FORWARD CURRENT - 1.0 Ampere
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25℃ ambient temperature unless otherwise specified.
Single phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%
SEMICONDUCTOR
LITE-ON
REV.1-Apr-2010, KSGB07
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MURS160-E3/2CT | 2 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-214AA |
| MURS160T3 | 1 A, 600 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-214BA |
| MURS340 | 3 A, 400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-214AB |
| MURS320 | 3 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-214AB |
| MV104RLRAG | 39.5 pF, 32 V, SILICON, ABRUPT VARIABLE CAPACITANCE DIODE, TO-92 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MURS120/2 | 功能描述:DIODE FAST 1A 200V SMB RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> 单二极管/整流器 系列:- 标准包装:100 系列:- 二极管类型:标准 电压 - (Vr)（最大）:50V 电流 - 平均整流 (Io):6A 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）:1.4V @ 6A 速度:快速恢复 = 200mA（Io） 反向恢复时间(trr):300ns 电流 - 在 Vr 时反向漏电:15µA @ 50V 电容@ Vr, F:- 安装类型:底座，接线柱安装 封装/外壳:DO-203AA，DO-4，接线柱 供应商设备封装:DO-203AA 包装:散装 其它名称:*1N3879 |
| MURS120/2T | 功能描述:整流器 200 Volt 1.0A 25ns 40 Amp IFSM RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
| MURS120/52T | 功能描述:整流器 1.0 Amp 200V 25ns RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
| MURS120/55T | 功能描述:整流器 200 Volt 1.0A 25ns 40 Amp IFSM RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
| MURS120/5BT | 功能描述:整流器 200 Volt 1.0A 25ns 40 Amp IFSM RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
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