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参数资料
| 型号： | MURS120TR |
| 厂商： | VISHAY SEMICONDUCTORS |
| 元件分类： | 二极管(射频、小信号、开关、功率) |
| 英文描述： | 1 A, 200 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
| 封装： | SMB, 2 PIN |
| 文件页数： | 2/6页 |
| 文件大小： | 113K |
| 代理商： | MURS120TR |
MURS120PbF
Bulletin PD-20877 11/04
2
www.irf.com
VBR, Vr
Breakdown Voltage,
200
-
V
IR = 100A
Blocking Voltage
VF
Forward Voltage
-
0.83 0.875
V
IF = 1A
-
0.65 0.71
V
IF = 1A, TJ = 150°C
IR
Reverse Leakage Current
-
0.1
2
A
VR = VR Rated
-11
50
A
TJ = 150°C, VR = VR Rated
CT
Junction Capacitance
-
12
-
pF
VR = 200V
Electrical Characteristics @ TJ = 25°C (unless otherwise specified)
Parameters
Min Typ Max
Test Conditions
trr
Reverse Recovery Time
-
35
ns
IF = 1.0A, diF/dt = 50A/s, VR = 30V
--
25
IF = 0.5A, IR = 1.0A, IREC = 0.25A
Dynamic Recovery Characteristics @ TJ = 25°C (unless otherwise specified)
Parameters
Min Typ
Test Conditions
Parameters
Min
Typ
Max
Units
TJ
Max. Junction Temperature Range
-
175
°C
TStg
Max. Storage Temperature Range
- 65
-
175
RthJL
Thermal Resistance, Junction to Lead
-
21
°C/W
Wt
Weight
-
0.1
-
g
-
0.07
-
(oz)
wt
Approximate Weight
0.10 (0.003)
g (oz.)
Case Style
SMB
Device Marking
IRU120
Thermal - Mechanical Characteristics
Units
Max
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PDF描述 |
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参数描述 |
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