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参数资料
| 型号： | MURS160-13-F |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 2/5页 |
| 文件大小： | 192K |
| 描述： | DIODE SUPER FAST 600V 1A SMB |
| 产品目录绘图： | SMB Side SMB Top |
| 标准包装： | 1 |
| 二极管类型： | 标准 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 600V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 1A |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1.25V @ 1A |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 反向恢复时间(trr)： | 50ns |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 5µA @ 600V |
| 电容@ Vr, F： | 10pF @ 4V，1MHz |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | DO-214AA，SMB |
| 供应商设备封装： | SMB |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1597 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | MURS160-FDIDKR |
MURS140 - MURS160
Document number: DS30130 Rev. 11 - 2
2 of 5
www.diodes.com
October 2012
? Diodes Incorporated
MURS140 - MURS160
Maximum Ratings
(@T
A
= +25°C, unless otherwise specified.)
Single phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load.
For capacitance load, derate current by 20%.
Characteristic Symbol MURS140 MURS160 Unit
Peak Repetitive Reverse Voltage
Working Peak Reverse Voltage
DC Blocking Voltage (Note 10)
VRRM
VRWM
VR
400 600 V
RMS Reverse Voltage
VR(RMS)
283 424 V
Average Rectified Output Current @ TT
= +135
°C IO
1.0 A
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current
8.3ms Single Half Sine-Wave Superimposed on Rated Load
IFSM
35 A
Thermal Characteristics
Characteristic Symbol Value Unit
Typical Thermal Resistance, Junction to Terminal (Note 6)
RθJT
15 °C/W
Operating Temperature Range
TJ
-55 to +150
°C
Storage Temperature Range
TSTG
-55 to +175
°C
Electrical Characteristics
(@T
A
= +25°C, unless otherwise specified.)
Characteristic Symbol Value Unit
Forward Voltage
@ IF
= 1.0A, T
J =
+25°C
@ IF
= 1.0A, T
J =
+150°C
VFM
1.25
1.05
V
Peak Reverse Current at Rated DC
Blocking Voltage (Note 10)
@ TA
= +25
°C
@ TA
= +150
°C
IRM
5.0
150
μA
Reverse Recovery Time (Note 8)
trr
50 ns
Forward Recovery Time (Note 9)
tfr
50 ns
Typical Total Capacitance (Note 7)
CT
10 pF
Notes: 6. Unit mounted on PC board with 5.0 mm2
(0.013 mm thick) copper pads as heat sink.
7. Measured at 1.0MHz and applied reverse voltage of 4V DC.
8. Measured with IF
= 0.5A, I
R
= 1.0A, I
rr
= 0.25A. See Figure 5.
9. Measured with IF
= 1.0A, di/dt = 100A/
μs, Duty Cycle ≤
2.0%.
10. Short duration pulse test used to minimize self-heating effect.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MURS160/2 | DIODE FAST 1A 600V SMB |
| MURS205T3G | DIODE ULTRA FAST 2A 50V SMB |
| MURS230T3G | DIODE ULTRA FAST 2A 300V SMB |
| MURS260T3G | DIODE ULTRA FAST 2A 600V SMB |
| MURS320-13-F | DIODE SUPERFAST GPP 3A 200V SMC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MURS160-13-F-CUT TAPE | 制造商:DIODES 功能描述:MURS160 Series 600 V 1 A Surface Mount Super-Fast Rectifier - DO-214AA |
| MURS160A | 制造商:RECTRON 制造商全称:Rectron Semiconductor 功能描述:ULTRAFAST RECTIFIER VOLTAGE RANGE 200 to 600 Volts CURRENT 1.0 Ampere |
| MURS160-E3 | 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述:ULTRA FAST RECOVERY POWER RECTIFIER |
| MURS160-E3/1T | 功能描述:整流器 600 Volt 1.0A 50ns 35 Amp IFSM RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
| MURS160-E3/2 | 制造商:Vishay Angstrohm 功能描述:Diode Switching 600V 2A 2-Pin SMB T/R |
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