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参数资料
| 型号： | MURS260T3 |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 143K |
| 描述： | DIODE ULTRA FAST 2A 600V SMB |
| 产品变化通告： | Product Discontinuation 27/Jun/2007 |
| 标准包装： | 10 |
| 二极管类型： | 标准 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 600V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 2A |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1.45V @ 2A |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 反向恢复时间(trr)： | 75ns |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 5µA @ 600V |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | DO-214AA，SMB |
| 供应商设备封装： | SMB |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | MURS260T3OSDKR |
      MURS260T3G, SURS8260T3G http://onsemi.com 2 THERMAL CHARACTERISTICS Characteristic Symbol Value Unit Thermal Resistance, Junction?to?Lead (TL = 25 ?C) RJL 13 ?C/W ELECTRICAL CHARACTERISTICS Characteristic Symbol Value Unit Maximum Instantaneous Forward Voltage (Note 1) (iF = 2.0 A, T J = 25 ?C) (iF = 2.0 A, T J = 150 ?C) vF 1.45 1.20 V Maximum Instantaneous Reverse Current (Note 1) (Rated DC Voltage, TJ = 25 ?C) (Rated DC Voltage, TJ = 150 ?C) iR 5.0 150 A Maximum Reverse Recovery Time (iF = 1.0 A, di/dt = 50 A/ s) (iF = 0.5 A, i R = 1.0 A, I R to 0.25 A) trr 75 50 ns Maximum Forward Recovery Time (iF = 1.0 A, di/dt = 100 A/ s, Rec. to 1.0 V) tfr 50 ns 1. Pulse Test: Pulse Width = 300 s, Duty Cycle ? 2.0%. Figure 1. Typical Forward Voltage VF, INSTANTANEOUS VOLTAGE (VOLTS) 0.3 0.90.5 1.30.7 1.1 3.0 0.01 0.03 0.02 0.2 0.1 10 2.0 0.7 0.3 0.05 0.5 5.0 I F 1.5 2.31.7 1.9 2.1 0.07 1.0 7.0 100?C TC= 25?C 175?C , INSTANTANEOUS FORWARD CURRENT (AMPS) 0.3 0.70.5 0.9 1.3 1.7 2.1 0.1 1.0 10 0.01 1.1 1.5 1.9 2.3 VF, INSTANTANEOUS VOLTAGE (VOLTS) I F Figure 2. Maximum Forward Voltage , INSTANTANEOUS FORWARD CURRENT ( A) TC = 175 ?C TC = 100 ?C TC = 25 ?C 3.0 2.0 5.0 7.0 0.2 0.7 0.3 0.5 0.03 0.02 0.05 0.07 |
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参数描述 |
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