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参数资料
| 型号： | MURS360BT3G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 2/5页 |
| 文件大小： | 99K |
| 描述： | DIODE ULT FAST 3A 600V SMB |
| 标准包装： | 1 |
| 二极管类型： | 标准 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 600V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 3A |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1.25V @ 3A |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 反向恢复时间(trr)： | 75ns |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 3µA @ 600V |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | DO-214AA，SMB |
| 供应商设备封装： | SMB |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | MURS360BT3GOSDKR |
MURS360BT3G, SURS8360BT3G
http://onsemi.com
2
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Symbol
Value
Unit
Thermal Resistance, Junction?to?Lead (Note 1)
Thermal Resistance, Junction?to?Ambient (Note 1)
RJL
RJA
14
125
°C/W
1. Mounted with minimum recommended pad size, PC Board FR4.
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Symbol
Typ
Max
Unit
Maximum Instantaneous Forward Voltage (Note 2)
(iF
= 3.0 A, T
J
= 25
°C)
(iF
= 3.0 A, T
J
= 150
°C)
vF
?
0.83
1.25
1.05
V
Maximum Instantaneous Reverse Current (Note 2)
(Rated DC Voltage, TJ
= 25
°C)
(Rated DC Voltage, TJ
= 150
°C)
iR
?
95
3.0
150
A
Maximum Reverse Recovery Time
(iF
= 1.0 A, di/dt = 50 A/
s)
(iF
= 0.5 A, i
R
= 1.0 A, I
R
to 0.25 A)
trr
?
?
75
50
ns
Maximum Forward Recovery Time
(iF
= 1.0 A, di/dt = 100 A/
s, Rec. to 1.0 V)
tfr
?
50
ns
2. Pulse Test: Pulse Width = 300 s, Duty Cycle ≤
2.0%.
TYPICAL CHARACTERISTICS
Figure 1. Typical Forward Voltage Figure 2. Maximum Forward Voltage
VF, INSTANTANEOUS FORWARD VOLTAGE (V) VF, INSTANTANEOUS FORWARD VOLTAGE (V)
1.2
1.1
0.8
0.7
0.6
0.5
0.3
0.4
0.01
0.1
1
10
0.8 0.9 1.41.0
1.1
1.2
1.3
0.7
0.3
0.4
0.5
0.6
0.01
0.1
1
10
Figure 3. Typical Reverse Current Figure 4. Maximum Reverse Current
Vr, REVERSE VOLTAGE (V) Vr, REVERSE VOLTAGE (V)
600
500
400
300
200
100
0
0.000001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
600
500
400
300
200
100
0
I
F
, INSTANTANEOUS FORWARD CURRENT (A)
I
r
, REVERSE CURRENT (mA)
1.0
0.9
150°C
125°C
25°C
I
F
, INSTANTANEOUS FORWARD CURRENT (A)
150°C
125°C
25°C
150°C
125°C
25°C
I
r
, REVERSE CURRENT (mA)
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
150°C
125°C
25°C
1
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