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参数资料
| 型号： | MWI100-12T8T |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOD IGBT TRENCH SIXPACK E3 |
| 标准包装： | 5 |
| IGBT 类型： | 沟道 |
| 配置： | 三相反相器 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： | 1200V |
| Vge, Ic时的最大Vce（开）： | 2.1V @ 15V，100A |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大）： | 145A |
| 电流 - 集电极截止（最大）： | 4mA |
| Vce 时的输入电容 (Cies)： | 7.21nF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 480W |
| 输入： | 标准 |
| NTC 热敏电阻： | 是 |
| 安装类型： | 底座安装 |
| 封装/外壳： | E3 |
| 供应商设备封装： | E3 |
MWI100-12T8T
Temperature Sensor NTC
Ratings
Symbol
R 25
B 25/50
Definitions
resistance
Conditions
T C = 25°C
min.
4.75
typ.
5.0
3375
max.
5.25
Unit
k W
K
Module
Ratings
Symbol
Definitions
Conditions
min.
typ.
max.
Unit
T VJ
T VJM
T stg
V ISOL
CTI
M d
d S
d A
R pin-chip
operating temperature
max. virtual junction temperature
storage temperature
isolation voltage
comparative tracking index
mounting torque (M5)
creep distance on surface
strike distance through air
resistance pin to chip
I ISOL < 1 mA; 50/60 Hz
-40
-40
2.7
10
7.5
2.5
125
150
125
2500
200
3.3
°C
°C
°C
V~
Nm
mm
mm
m W
R thCH
Weight
thermal resistance case to heatsink
with heatsink compound
0.02
300
K/W
g
0.0 Equivalent Circuits for Simulation
I
V 0
R 0
Ratings
Symbol
V 0
R 0
V 0
R 0
Definitions
IGBT
Diode
Conditions
T1 - T6
D1 - D6
T VJ = 125°C
T VJ = 150°C
min.
typ.
1.0
91
1.09
9.1
max.
Unit
V
m W
V
m W
R 1
R 2
R 3
R 4
t 1
t 2
t 3
t 4
R1
C1
R2
C2
R3
C3
R4
C4
IGBT
0.03985
0.05038
0.08959
0.08018
0.0025
0.076
0.036
0.076
Diode
0.084
0.069
0.146
0.101
0.0025
0.076
0.036
0.076
T C = 25°C unless otherwise stated
IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.
? 2010 IXYS All rights reserved
20100910c
3-7
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参数描述 |
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