参数资料
型号: MWI15-12A7
厂商: IXYS
文件页数: 3/6页
文件大小: 0K
描述: MOD IGBT SIXPACK RBSOA 1200V E2
标准包装: 6
IGBT 类型: NPT
配置: 三相反相器
电压 - 集电极发射极击穿(最大): 1200V
Vge, Ic时的最大Vce(开): 2.6V @ 15V,15A
电流 - 集电极 (Ic)(最大): 30A
电流 - 集电极截止(最大): 900µA
Vce 时的输入电容 (Cies): 1nF @ 25V
功率 - 最大: 140W
输入: 标准
NTC 热敏电阻:
安装类型: 底座安装
封装/外壳: E2
供应商设备封装: E2
MWI 15-12A7
Module
Ratings
Symbol
Definitions
Conditions
min.
typ.
max.
Unit
T VJ
T VJM
T stg
V ISOL
operating temperature
max. virtual junction temperature
storage temperature
isolation voltage
I ISOL <  1 MA; 50/60 HZ
-40
-40
125
150
125
2500
°C
°C
°C
V~
M d
d S
d A
mounting torque
creep distance on surface
strike distance through air
(M4)
2.7
6
6
3.3
NM
mm
mm
Weight
180
g
R thCH
thermal resistance case to heatsink
with heatsink compound
0.02
K/W
Equivalent Circuits for Simulation
I
V 0
R 0
Ratings
Symbol
V 0
R 0
V 0
R 0
Definitions
IGBT
Diode
Conditions
T1 - T6 
D1 - D6 
T VJ = 125°C
T VJ = 125°C
min.
typ.
1.37
62
1.327
30
max.
Unit
V
m W
V
m W
R1
C1
R2
C2
R3
C3
R4
C4
Zth ( t ) =
n
i = 1
? ? τ i ? ?
?
R i ? 1 ? exp ? t ? ?
τ i = R i ? C i
R 1
R 2
C 1
C 2
IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.
? 2008 IXYS All rights reserved
IGBT
-
-
-
-
Diode
-
-
-
-
20080805a
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