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参数资料
| 型号： | MWI50-12AS |
| 厂商： | IXYS CORP |
| 元件分类： | IGBT 晶体管 |
| 英文描述： | 52 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| 文件页数： | 1/1页 |
| 文件大小： | 28K |
| 代理商： | MWI50-12AS |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MWI35-12AS | 37 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| MWI75-12AS | 73 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| MWT-10GN | KA BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, MESFET |
| MWT-10SN | KA BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, MESFET |
| MWT-10LN | KA BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, MESFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MWI50-12E6K | 功能描述:分立半导体模块 50 Amps 1200V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:Thyristor Power Modules 类型:Phase Controls 安装风格:Screw 封装 / 箱体:DT61 封装: |
| MWI50-12E7 | 功能描述:分立半导体模块 50 Amps 1200V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:Thyristor Power Modules 类型:Phase Controls 安装风格:Screw 封装 / 箱体:DT61 封装: |
| MWI50-12T7T | 功能描述:分立半导体模块 50 Amps 1200V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:Thyristor Power Modules 类型:Phase Controls 安装风格:Screw 封装 / 箱体:DT61 封装: |
| MWI60-06G6K | 功能描述:分立半导体模块 60 Amps 600V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:Thyristor Power Modules 类型:Phase Controls 安装风格:Screw 封装 / 箱体:DT61 封装: |
| MWI60-12T6K | 功能描述:分立半导体模块 60 Amps 1200V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:Thyristor Power Modules 类型:Phase Controls 安装风格:Screw 封装 / 箱体:DT61 封装: |
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