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参数资料
| 型号： | MWI75-06A7T |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 4/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOD IGBT SIXPACK RBSOA 600V E2 |
| 标准包装： | 6 |
| IGBT 类型： | NPT |
| 配置： | 三相反相器 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： | 600V |
| Vge, Ic时的最大Vce（开）： | 2.6V @ 15V，75A |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大）： | 90A |
| 电流 - 集电极截止（最大）： | 1.3mA |
| Vce 时的输入电容 (Cies)： | 3.2nF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 280W |
| 输入： | 标准 |
| NTC 热敏电阻： | 是 |
| 安装类型： | 底座安装 |
| 封装/外壳： | E2 |
| 供应商设备封装： | E2 |
MWI 75-06 A7
MWI 75-06 A7 T
10.0
100
5
500
E on
mJ
7.5
t d(on)
ns
75
t
E off
mJ
4
E off
ns
400
t
5.0
2.5
0.0
E on
t r
V CE = 300V
V GE = ±15V
R G = 18 Ω
T VJ = 125°C
50
25
0
3
2
1
0
t d(off)
V CE = 300V
V GE = ±15V
R G = 18 Ω
T VJ = 125°C
t f
300
200
100
0
0
40
80
120
A
160
0
40
80
120 A
160
I C
Fig. 7 Typ. turn on energy and switching
times versus collector current
I C
Fig. 8 Typ. turn off energy and switching
times versus collector current
10
100
5
500
E on
mJ
8
6
t d(on)
t r
ns
80
60
t
mJ
4
E off
3
t d(off)
E off
ns
400
300
t
4
V CE = 300V
V GE = ±15V
40
2
V CE = 300V
V GE = ±15V
200
I C
2
E on
I C = 75A
T VJ = 125°C
20
1
= 75A
T VJ = 125°C
100
0
0
10
20
30
40
0
50 Ω 60
0
0
10
20
30
40
t f
0
50 Ω 60
R G
Fig. 9 Typ. turn on energy and switching
times versus gate resistor
R G
Fig.10 Typ. turn off energy and switching
times versus gate resistor
160
A
1
K/W
diode
IGBT
I CM
120
80
0.1
Z thJC
0.01
40
0
R G = 18 Ω
T VJ = 125°C
0.001
0.0001
single pulse
MWI7506A7
0
100
200
300
400
500
600
700 V
0.00001 0.0001 0.001
0.01
0.1
1
s 10
V CE
Fig. 11 Reverse biased safe operating area
RBSOA
IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.
? 2007 IXYS All rights reserved
t
Fig. 12 Typ. transient thermal impedance
20070912a
4-4
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PDF描述 |
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