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参数资料
| 型号： | MX0912B250Y |
| 厂商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | L BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR |
| 文件页数： | 4/7页 |
| 文件大小： | 216K |
| 代理商： | MX0912B250Y |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MZ0912B50Y | L BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR |
| N102100-6202PC | 100 CONTACT(S), FEMALE, OTHER D TYPE CONNECTOR, SOLDER, RECEPTACLE |
| N102100-6212PC | 100 CONTACT(S), FEMALE, OTHER D TYPE CONNECTOR, SOLDER, RECEPTACLE |
| N10214-6202PC | 14 CONTACT(S), FEMALE, OTHER D TYPE CONNECTOR, SOLDER, RECEPTACLE |
| N10220-6202PC | 20 CONTACT(S), FEMALE, OTHER D TYPE CONNECTOR, SOLDER, RECEPTACLE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MX0912B251Y | 制造商:PHILIPS 制造商全称:NXP Semiconductors 功能描述:NPN microwave power transistor |
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| MX0912B251Y,114 | 功能描述:两极晶体管 - BJT BULKTR TNS-MICL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MX0912B351Y | 制造商:PHILIPS 制造商全称:NXP Semiconductors 功能描述:NPN microwave power transistor |
| MX0912B351Y TRAY | 功能描述:两极晶体管 - BJT BULKTR TNS-MICL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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