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参数资料
| 型号： | MXLSMBG2K3.0E3TR |
| 厂商： | MICROSEMI CORP-IRELAND |
| 元件分类： | 参考电压二极管 |
| 英文描述： | 2000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AA |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2 |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 306K |
| 代理商： | MXLSMBG2K3.0E3TR |
TECHNICAL DATA SHEET
Gort Road Business Park, Ennis, Co. Clare, Ireland.
6 Lake Street, Lawrence, MA 01841
Tel: +353 (0) 65 6840044, Fax: +353 (0) 65 6822298
Tel: 1-800-446-1158 / (978) 794-1666, Fax: (978) 6890803
Website: http://www.microsemi.com
___________________________________________________________________________________________________________________________________
RF01019 Rev A, November 2010
High Reliability Product Group
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MECHANICAL AND PACKAGING
Void-free transfer molded thermosetting epoxy body meeting UL94V-0 requirements
Tin-Lead (90 % Sn, 10 % Pb) or RoHS (100% Sn) compliant annealed matte-tin plating readily solderable per MIL-
STD-750, method 2026
Body marked with part number
Cathode end banded
Weight: 0.1 grams (approximate)
Available in bulk or custom tape-and-reel packaging
TAPE-AND-REEL standard per EIA-
296 (add “TR” suffix to part number)
PACKAGE DIMENSIONS
PAD LAYOUT
SYMBOLS & DEFINITIONS
Symbol
Definition
Symbol
Definition
VWM
Working Peak (Standoff) Voltage
IPP
Peak Pulse Current
PPP
Peak Pulse Power
VC
Clamping Voltage
VBR
Breakdown Voltage
IBR
Breakdown Current for VBR
ID
Standby Current
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MBR1060C-TF3-T | 5 A, 60 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB |
| MBR1050 | 10 A, 50 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AC |
| MBR4045PT | 10 A, 45 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-247AD |
| MBR745 | 7.5 A, 45 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AC |
| MBR10H150CT | 10 A, 150 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MXLSMBG2K4.0 | 功能描述:TVS DIODE 4VWM 6.3VC DO215AA 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500 包装:散装 零件状态:上次购买时间 类型:齐纳 单向通道:1 双向通道:- 电压 - 反向关态（典型值）:4V 电压 - 击穿（最小值）:5V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:6.3V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:10A（8/20μs） 功率 - 峰值脉冲:2000W（2kW） 电源线路保护:无 应用:通用 不同频率时的电容:- 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DO-215AA，SMB 鸥翼型 供应商器件封装:SMBG（DO-215AA） 标准包装:1 |
| MXLSMBG2K4.0E3 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TVS DIODE 4VWM 6.3VC DO215AA |
| MXLSMBG2K4.5 | 功能描述:TVS DIODE 4.5VWM 6.6VC DO215AA 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500 包装:散装 零件状态:上次购买时间 类型:齐纳 单向通道:1 双向通道:- 电压 - 反向关态（典型值）:4.5V 电压 - 击穿（最小值）:5.4V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:6.6V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:10A（8/20μs） 功率 - 峰值脉冲:2000W（2kW） 电源线路保护:无 应用:通用 不同频率时的电容:- 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DO-215AA，SMB 鸥翼型 供应商器件封装:SMBG（DO-215AA） 标准包装:1 |
| MXLSMBG2K4.5E3 | 功能描述:TVS DIODE 4.5VWM 6.6VC DO215AA 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500 包装:散装 零件状态:上次购买时间 类型:齐纳 单向通道:1 双向通道:- 电压 - 反向关态（典型值）:4.5V 电压 - 击穿（最小值）:5.4V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:6.6V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:10A（8/20μs） 功率 - 峰值脉冲:2000W（2kW） 电源线路保护:无 应用:通用 不同频率时的电容:- 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DO-215AA，SMB 鸥翼型 供应商器件封装:SMBG（DO-215AA） 标准包装:1 |
| MXLSMBG2K5.0 | 功能描述:TVS DIODE 5VWM 7.6VC DO215AA 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500 包装:散装 零件状态:上次购买时间 类型:齐纳 单向通道:1 双向通道:- 电压 - 反向关态（典型值）:5V 电压 - 击穿（最小值）:5.9V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:7.6V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:10A（8/20μs） 功率 - 峰值脉冲:2000W（2kW） 电源线路保护:无 应用:通用 不同频率时的电容:- 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DO-215AA，SMB 鸥翼型 供应商器件封装:SMBG（DO-215AA） 标准包装:1 |
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