型号: | MXLSMBJSAC10 |
厂商: | MICROSEMI CORP-LAWRENCE |
元件分类: | TVS二极管 - 瞬态电压抑制 |
英文描述: | 500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
封装: | PLASTIC PACKAGE-2 |
文件页数: | 1/4页 |
文件大小: | 525K |
代理商: | MXLSMBJSAC10 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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MSP6102AUS | BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
MA30KP130TR | 30000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
MA30KP36TR | 30000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
MA30KP45C | 30000 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
MA30KP51 | 30000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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MXLSMBJSAC12 | 功能描述:TVS DIODE 12VWM 19VC DO214AA 制造商:microsemi ire division 系列:军用,MIL-PRF-19500 包装:散装 零件状态:在售 类型:齐纳 单向通道:1 双向通道:- 电压 - 反向关态(典型值):12V 电压 - 击穿(最小值):13.3V 电压 - 箝位(最大值)@ Ipp:19V 电流 - 峰值脉冲(10/1000μs):25A 功率 - 峰值脉冲:500W 电源线路保护:无 应用:通用 不同频率时的电容:30pF @ 1MHz 工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DO-214AA,SMB 供应商器件封装:SMBJ(DO-214AA) 标准包装:1 |
MXLSMBJSAC12E3 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TVS DIODE 12VWM 19VC DO214AA 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TVS 500W UNIDIRECT DO-214AA |
MXLSMBJSAC15 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TVS DIODE 15VWM 23.6VC DO214AA |
MXLSMBJSAC15E3 | 功能描述:TVS DIODE 15VWM 23.6VC DO214AA 制造商:microsemi ire division 系列:军用,MIL-PRF-19500 包装:散装 零件状态:在售 类型:齐纳 单向通道:1 双向通道:- 电压 - 反向关态(典型值):15V 电压 - 击穿(最小值):16.7V 电压 - 箝位(最大值)@ Ipp:23.6V 电流 - 峰值脉冲(10/1000μs):20A 功率 - 峰值脉冲:500W 电源线路保护:无 应用:通用 不同频率时的电容:30pF @ 1MHz 工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DO-214AA,SMB 供应商器件封装:SMBJ(DO-214AA) 标准包装:1 |
MXLSMBJSAC18 | 功能描述:TVS DIODE 18VWM 28.8VC DO214AA 制造商:microsemi ire division 系列:军用,MIL-PRF-19500 包装:散装 零件状态:在售 类型:齐纳 单向通道:1 双向通道:- 电压 - 反向关态(典型值):18V 电压 - 击穿(最小值):20V 电压 - 箝位(最大值)@ Ipp:28.8V 电流 - 峰值脉冲(10/1000μs):15A 功率 - 峰值脉冲:500W 电源线路保护:无 应用:通用 不同频率时的电容:30pF @ 1MHz 工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DO-214AA,SMB 供应商器件封装:SMBJ(DO-214AA) 标准包装:1 |