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参数资料
| 型号： | MXP4KE91E3TR |
| 厂商： | MICROSEMI CORP-SCOTTSDALE |
| 元件分类： | TVS二极管 - 瞬态电压抑制 |
| 英文描述： | 400 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-204AL |
| 封装： | PLASTIC, DO-41, 2 PIN |
| 文件页数： | 4/4页 |
| 文件大小： | 214K |
| 代理商： | MXP4KE91E3TR |
400 Watt Transient Voltage Suppressor
WWW
.Microse
m
i
.CO
M
S C O T TS DALE DIVISION
P4KE6.8 thru P4KE400CA, e3
P4KE6.8
thru
400
GRAPHS
FIGURE 1
Test waveform parameters: tr=10
μs, tp=1000 μs
Peak Pulse Power vs. Pulse Time
FIGURE 2
Pulse Waveform for Exponential Surge
Microsemi
Scottsdale Division
Page 4
Copyright
2005
8-04-2005 REV C
Lead or Ambient Temperature
oC
V(BR) - Breakdown Voltage – Volts
FIGURE 3
FIGURE 4
Derating Curve
P4KE Typical Capacitance vs.
Breakdown Voltage (Unipolar)
PACKAGE
DIMENSIONS
NOTE: Cathode indicated
by band. All dimensions in
millimeters (inches)
C
–
Ca
pa
cita
nce
-
Pi
cofarads
Peak
Pulse
Power
(
P
PP
)or
conti
nuous
Average
Powe
rin
Percent
of
25
o C
8700 E. Thomas Rd. PO Box 1390, Scottsdale, AZ 85252 USA, (480) 941-6300, Fax: (480) 947-1503
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MXP6KE180AE3 | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
| MXP6KE18AE3 | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
| MXP6KE200AE3 | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
| MXP6KE200E3TR | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
| MXP6KE20CE3TR | 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MXP5KE100A | 功能描述:TVS DIODE 100VWM 162VC DO41 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500 包装:散装 零件状态:在售 类型:齐纳 单向通道:1 双向通道:- 电压 - 反向关态（典型值）:100V 电压 - 击穿（最小值）:111V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:162V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:3.1A 功率 - 峰值脉冲:500W 电源线路保护:无 应用:通用 不同频率时的电容:- 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向 供应商器件封装:DO-204AL（DO-41） 标准包装:1 |
| MXP5KE100AE3 | 功能描述:TVS DIODE 100VWM 162VC DO41 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500 包装:散装 零件状态:在售 类型:齐纳 单向通道:1 双向通道:- 电压 - 反向关态（典型值）:100V 电压 - 击穿（最小值）:111V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:162V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:3.1A 功率 - 峰值脉冲:500W 电源线路保护:无 应用:通用 不同频率时的电容:- 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向 供应商器件封装:DO-204AL（DO-41） 标准包装:1 |
| MXP5KE100CA | 功能描述:TVS DIODE 100VWM 162VC DO41 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500 包装:散装 零件状态:在售 类型:齐纳 单向通道:- 双向通道:1 电压 - 反向关态（典型值）:100V 电压 - 击穿（最小值）:111V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:162V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:3.1A 功率 - 峰值脉冲:500W 电源线路保护:无 应用:通用 不同频率时的电容:- 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向 供应商器件封装:DO-204AL（DO-41） 标准包装:1 |
| MXP5KE100CAE3 | 功能描述:TVS DIODE 100VWM 162VC DO41 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500 包装:散装 零件状态:在售 类型:齐纳 单向通道:- 双向通道:1 电压 - 反向关态（典型值）:100V 电压 - 击穿（最小值）:111V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:162V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:3.1A 功率 - 峰值脉冲:500W 电源线路保护:无 应用:通用 不同频率时的电容:- 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向 供应商器件封装:DO-204AL（DO-41） 标准包装:1 |
| MXP5KE10A | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TVS 500W UNIDIRECT DO-41 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TVS DIODE 10VWM 17VC DO41 |
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