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参数资料
| 型号： | MXSMBJP6KE27ATR |
| 厂商： | MICROSEMI CORP-SCOTTSDALE |
| 元件分类： | TVS二极管 - 瞬态电压抑制 |
| 英文描述： | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
| 封装： | PLASTIC, SMBJ, 2 PIN |
| 文件页数： | 4/4页 |
| 文件大小： | 215K |
| 代理商： | MXSMBJP6KE27ATR |
600 Watt TRANSIENT VOLTAGE
SUPPRESSOR
WWW
.Microse
m
i
.CO
M
S C O T TS DALE DIVISION
SMBJP6KE6.8 thru SMBJP6KE200CA, e3 and
SMBGP6KE6.8 thru SMBGP6KE200CA, e3
SMBJ(G)P6
K
E6.8-200
Ae
3
C
–
Ca
pa
cita
nce
-
Pi
cofarads
Peak
Pulse
Power
(
P
PP
)or
conti
nuous
Power
in
P
ercent
of
25
o C
Rating
TL Lead Temperature
oC
V(BR) - Breakdown Voltage – Volts
FIGURE 3 - Derating Curve
FIGURE 4 – SMBJ(G)P6KE series Typical Capacitance vs.
Breakdown Voltage
PACKAGE DIMENSIONS
SMBJ
SMBG
A
B
C
D
E
F
K
L
MIN
.077
.160
.130
.205
.077
.235
.015
.030
MAX
.083
.180
.155
.220
.104
.255
.030
.060
DIMENSIONS IN MILLIMETERS
MIN
1.96
4.06
3.30
5.21
1.95
5.97
.381
.760
MAX
2.10
4.57
3.94
5.59
2.65
6.48
.762
1.520
INCHES
mm
A
.260
6.60
B
.085
2.16
C
.110
2.79
INCHES
mm
A
0.320
8.13
B
0.085
2.16
C
0.110
2.79
SMBJ
SMBG
Microsemi
Scottsdale Division
Page 4
Copyright
2007
6-21-2007 Rev C
8700 E. Thomas Rd. PO Box 1390, Scottsdale, AZ 85252 USA, (480) 941-6300, Fax: (480) 947-1503
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MXSMBJP6KE82CA | 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
| MASMAJ110E3 | 500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AC |
| MASMAJ36CAE3 | 500 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AC |
| MASMAJ45CE3TR | 500 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AC |
| MASMAJ54CE3TR | 500 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MXSMBJSAC12 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TVS 500W UNIDIRECT DO-214AA 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TVS DIODE 12VWM 19VC DO214AA |
| MXSMBJSAC12E3 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TVS DIODE 12VWM 19VC DO214AA 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TVS 500W UNIDIRECT DO-214AA |
| MXSMBJSAC15 | 功能描述:TVS DIODE 15VWM 23.6VC DO214AA 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500 包装:散装 零件状态:在售 类型:齐纳 单向通道:1 双向通道:- 电压 - 反向关态（典型值）:15V 电压 - 击穿（最小值）:16.7V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:23.6V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:20A 功率 - 峰值脉冲:500W 电源线路保护:无 应用:通用 不同频率时的电容:30pF @ 1MHz 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DO-214AA，SMB 供应商器件封装:SMBJ（DO-214AA） 标准包装:1 |
| MXSMBJSAC15E3 | 功能描述:TVS DIODE 15VWM 23.6VC DO214AA 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500 包装:散装 零件状态:在售 类型:齐纳 单向通道:1 双向通道:- 电压 - 反向关态（典型值）:15V 电压 - 击穿（最小值）:16.7V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:23.6V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:20A 功率 - 峰值脉冲:500W 电源线路保护:无 应用:通用 不同频率时的电容:30pF @ 1MHz 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DO-214AA，SMB 供应商器件封装:SMBJ（DO-214AA） 标准包装:1 |
| MXSMBJSAC18 | 功能描述:TVS DIODE 18VWM 28.8VC DO214AA 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500 包装:散装 零件状态:在售 类型:齐纳 单向通道:1 双向通道:- 电压 - 反向关态（典型值）:18V 电压 - 击穿（最小值）:20V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:28.8V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:15A 功率 - 峰值脉冲:500W 电源线路保护:无 应用:通用 不同频率时的电容:30pF @ 1MHz 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DO-214AA，SMB 供应商器件封装:SMBJ（DO-214AA） 标准包装:1 |
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