- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录96113 > MZ0912B350Y (NXP SEMICONDUCTORS) L BAND, Si, RF POWER TRANSISTOR PDF资料下载
参数资料
| 型号： | MZ0912B350Y |
| 厂商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | L BAND, Si, RF POWER TRANSISTOR |
| 文件页数： | 1/1页 |
| 文件大小： | 18K |
| 代理商： | MZ0912B350Y |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| P0703HD2 | 1-OUTPUT 2 W DC-DC REG PWR SUPPLY MODULE |
| P0703HD3 | 1-OUTPUT 3 W DC-DC REG PWR SUPPLY MODULE |
| P10-20/4 | SPECIALTY ANALOG CIRCUIT, XMA |
| P10-10/4 | SPECIALTY ANALOG CIRCUIT, XMA |
| P10-3/4 | SPECIALTY ANALOG CIRCUIT, XMA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MZ0912B50Y | 制造商:PHILIPS 制造商全称:NXP Semiconductors 功能描述:NPN microwave power transistor |
| MZ0912B50Y TRAY | 功能描述:两极晶体管 - BJT BULKTR TNS-MICP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MZ0912B50Y,114 | 功能描述:两极晶体管 - BJT BULKTR TNS-MICP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MZ1.0GD100V-2.5 | 制造商:MIC 制造商全称:MIC GROUP RECTIFIERS 功能描述:ZENER DIODE |
| MZ1.0GD10V-25 | 制造商:MIC 制造商全称:MIC GROUP RECTIFIERS 功能描述:ZENER DIODE |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。