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参数资料
| 型号： | MZ5811 |
| 厂商： | MICROSEMI CORP-SCOTTSDALE |
| 元件分类： | 齐纳二极管 |
| 英文描述： | 11 V, 5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| 封装： | HERMETIC SEALED, MICRO MINIATURE, GLASS PACKAGE-2 |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 232K |
| 代理商： | MZ5811 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MBR2035CT-010 | 20 A, 35 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| MA4062N-H | 0.4 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-34 |
| MA4062N-M | 0.4 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-34 |
| MA4150N-H | 0.4 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-34 |
| MA4150N-L | 0.4 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-34 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MZ-5D-K-U | 功能描述:低信号继电器 - PCB SIGNAL RoHS:否 制造商:NEC 触点形式:2 Form C (DPDT-BM) 触点电流额定值: 线圈电压:5 V 最大开关电流:1 A 线圈电流:1 A 线圈类型:Non-Latching 功耗:140 mW 端接类型:SMT 绝缘: 介入损耗: |
| MZ-5D-U | 功能描述:低信号继电器 - PCB SIGNAL RoHS:否 制造商:NEC 触点形式:2 Form C (DPDT-BM) 触点电流额定值: 线圈电压:5 V 最大开关电流:1 A 线圈电流:1 A 线圈类型:Non-Latching 功耗:140 mW 端接类型:SMT 绝缘: 介入损耗: |
| MZ-5HG-K-U | 功能描述:低信号继电器 - PCB SIGNAL RoHS:否 制造商:NEC 触点形式:2 Form C (DPDT-BM) 触点电流额定值: 线圈电压:5 V 最大开关电流:1 A 线圈电流:1 A 线圈类型:Non-Latching 功耗:140 mW 端接类型:SMT 绝缘: 介入损耗: |
| MZ-5HG-U | 功能描述:低信号继电器 - PCB SIGNAL RoHS:否 制造商:NEC 触点形式:2 Form C (DPDT-BM) 触点电流额定值: 线圈电压:5 V 最大开关电流:1 A 线圈电流:1 A 线圈类型:Non-Latching 功耗:140 mW 端接类型:SMT 绝缘: 介入损耗: |
| MZ-5HS-K | 制造商:Fuji Polymer Industries Co 功能描述: 制造商:Fujitsu 功能描述:Electromechanical Relay SPDT 1A 5VDC 120Ohm Through Hole |
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