NE57810S/N1,518功能描述:静态随机存取存储器 PWR DBL DATA RATE RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:TrayNE57810S/G,518功能描述:线性稳压器 - 标准 DDR Memory Term Regulator 6-Pin RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 输出类型: 极性: 输出电压:1.8 V 输出电流:150 mA 负载调节: 最大输入电压:5.5 V 线路调整率: 最大工作温度:+ 125 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-323-5LNE57810S,518功能描述:静态随机存取存储器 DOUBLE DATA RATE TERMINATOR RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:TrayNE570DR2G功能描述:通信集成电路 - 若干 Dual Gain Compandor Commercial Temp RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 类型:Transport Devices 封装 / 箱体:TECSBGA-256 数据速率:100 Mbps 电源电压-最大:1.89 V, 3.465 V 电源电压-最小:1.71 V, 3.135 V 电源电流:50 mA, 225 mA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 封装:TubeNE570DR2功能描述:通信集成电路 - 若干 Dual Gain Compandor RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 类型:Transport Devices 封装 / 箱体:TECSBGA-256 数据速率:100 Mbps 电源电压-最大:1.89 V, 3.465 V 电源电压-最小:1.71 V, 3.135 V 电源电流:50 mA, 225 mA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 封装:TubeNE592D14NE592D14GNE592D14R2NE592D14R2GNE592D8NE592D8GNE592D8R2NE592D8R2GNE592N14NE592N14GNE592N8NE592N8GNE6NE650103M-ANE6510179A-ANE6510179A-EVPW19NE6510179A-EVPW24NE6510179A-EVPW26