NP36N055SLE-E1-AY

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

NP36N055SLE-E1-AY
深圳市琦凌凯科技有限公司
深圳市琦凌凯科技有限公司
联系人：彭先生
电话：1331648214918276240346
地址：深圳市福田区华强北街道荔村社区振兴路120号赛格科技园4栋中10层10A19
资质：营业执照
6000
N
TO252
22+
-
十年配单，只做原装

NP36N055SLE-E1-AY
上海鑫科润电子科技有限公司
上海鑫科润电子科技有限公司
联系人：鑫科润
电话：185210072361851602286718516022897
地址：上海徐汇区中山南二路1007号
50000
Renesas Electronics Ameri
TO-252
17+
-
全新原装现货

NP36N055SLE-E1-AY
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：朱先生/李小姐
电话：0755-2394163213723794312（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。
865000
NEC/RENESAS
TO-252
最新批号
-
一级代理.原装特价现货！

NP36N055SLE-E1-AY
深圳市诚达吉电子有限公司
深圳市诚达吉电子有限公司
联系人：莫小姐
电话：15013829553
地址：广东深圳
资质：营业执照
2000
SMD
22+
-
全部原装现货

NP36N055SLE-E1-AY
甄芯网
甄芯网
联系人：柯先生/赵小姐
电话：0755-83665813
地址：深圳市福田区深南中路3006号佳和大厦B座907 门市部：中航路都会电子3C002B
资质：营业执照
2000
N
TO252
13+
-
不止网址数量.以电话为准

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功能描述
MOSFET N-CH 55V 36A TO-252
RoHS
是
类别
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列
-
标准包装
1,000
系列
MESH OVERLAY™
FET 型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
200V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
18A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
180 毫欧 @ 9A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
72nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
1560pF @ 25V
功率 - 最大
40W
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-220-3 整包
供应商设备封装
TO-220FP
包装
管件

NP36N055SLE-E1-AY 技术参数

NP04SZB4R7N 功能描述:4.7μH Shielded Inductor 1.6A 100 mOhm Max Nonstandard 制造商:taiyo yuden 系列:NP 包装:剪切带（CT）零件状态:过期类型:- 材料 - 磁芯:铁氧体电感:4.7μH 容差:±30% 额定电流:1.6A 电流 - 饱和值:1.8A 屏蔽:屏蔽 DC 电阻（DCR）:100 毫欧最大不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:27MHz 等级:- 工作温度:-25°C ~ 105°C 频率 - 测试:1kHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:非标准大小/尺寸:0.197" 长 x 0.197" 宽（5.00mm x 5.00mm）高度 - 安装（最大值）:0.079"（2.00mm）标准包装:10 NP04SZB2R2N 功能描述:2.2μH Shielded Inductor 2.5A 42 mOhm Max Nonstandard 制造商:taiyo yuden 系列:NP 包装:剪切带（CT）零件状态:过期类型:- 材料 - 磁芯:铁氧体电感:2.2μH 容差:±30% 额定电流:2.5A 电流 - 饱和值:2.7A 屏蔽:屏蔽 DC 电阻（DCR）:42 毫欧最大不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:60MHz 等级:- 工作温度:-25°C ~ 105°C 频率 - 测试:1kHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:非标准大小/尺寸:0.197" 长 x 0.197" 宽（5.00mm x 5.00mm）高度 - 安装（最大值）:0.079"（2.00mm）标准包装:10 NP04SZB220M 功能描述:22μH Shielded Inductor 770mA 300 mOhm Max Nonstandard 制造商:taiyo yuden 系列:NP 包装:剪切带（CT）零件状态:过期类型:- 材料 - 磁芯:铁氧体电感:22μH 容差:±20% 额定电流:770mA 电流 - 饱和值:770mA 屏蔽:屏蔽 DC 电阻（DCR）:300 毫欧最大不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:10MHz 等级:- 工作温度:-25°C ~ 105°C 频率 - 测试:1kHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:非标准大小/尺寸:0.197" 长 x 0.197" 宽（5.00mm x 5.00mm）高度 - 安装（最大值）:0.079"（2.00mm）标准包装:10 NP04SZB1R0N 功能描述:1μH Shielded Wirewound Inductor 3.2A 30 mOhm Max Nonstandard 制造商:taiyo yuden 系列:NP 包装:剪切带（CT）零件状态:过期类型:绕线材料 - 磁芯:铁氧体电感:1μH 容差:±30% 额定电流:3.2A 电流 - 饱和值:4A 屏蔽:屏蔽 DC 电阻（DCR）:30 毫欧最大不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:96MHz 等级:- 工作温度:-25°C ~ 105°C 频率 - 测试:1kHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:非标准大小/尺寸:0.197" 长 x 0.197" 宽（5.00mm x 5.00mm）高度 - 安装（最大值）:0.079"（2.00mm）标准包装:10 NP04SZB100M 功能描述:10μH Shielded Inductor 1.2A 130 mOhm Max Nonstandard 制造商:taiyo yuden 系列:NP 包装:剪切带（CT）零件状态:过期类型:- 材料 - 磁芯:铁氧体电感:10μH 容差:±20% 额定电流:1.2A 电流 - 饱和值:1.3A 屏蔽:屏蔽 DC 电阻（DCR）:130 毫欧最大不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:15MHz 等级:- 工作温度:-25°C ~ 105°C 频率 - 测试:1kHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:非标准大小/尺寸:0.197" 长 x 0.197" 宽（5.00mm x 5.00mm）高度 - 安装（最大值）:0.079"（2.00mm）标准包装:10 NP40N10PDF-E1-AY NP40N10YDF-E1-AY NP4-12 NP48N055KLE-E1-AY NP48N055MLE-S18-AY NP48N055NLE-S18-AY N-P50 NP50P03YDG-E1-AY NP50P04KDG-E1-AY NP50P04SDG-E1-AY NP50P06KDG-E1-AY NP50P06SDG-E1-AY NP52N055SUG-E1-AY NP52N06SLG-E1-AY NP55N03SUG-E1-AY NP55N04SUG-E1-AY NP55N055SDG-E1-AY NP55N055SUG-E1-AY