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NP36N10SDE

配单专家企业名单
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  • NP36N10SDE
    NP36N10SDE

    NP36N10SDE

    现货
  • 深圳市百域芯科技有限公司
    深圳市百域芯科技有限公司

    联系人:林S

    电话:400-666-5385

    地址:华强北都会轩4507

    资质:营业执照

  • 50000

  • NEC/新洁能

  • TO-252

  • 21+

  • -
  • 长期优势供应全系列MOS管 支持参数选型

  • NP36N10SDE
    NP36N10SDE

    NP36N10SDE

  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司
    深圳市毅创辉电子科技有限公司

    联系人:雷春艳

    电话:19129493934(手机优先微信同号)0755-83266697

    地址:深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室

    资质:营业执照

  • 9000

  • NEC

  • TO-252

  • 2015

  • -
  • 全新原装现货

  • NP36N10SDE
    NP36N10SDE

    NP36N10SDE

  • 无锡固电半导体股份有限公司
    无锡固电半导体股份有限公司

    联系人:张小姐

    电话:15961889159

    地址:江苏省无锡市新区新梅路68号

    资质:营业执照

  • 1000

  • isc,iscsemi

  • DPAK/TO-252

  • 2024+

  • -
  • 国产品牌,可替代原装

  • NP36N10SDE
    NP36N10SDE

    NP36N10SDE

  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人:朱先生/李小姐

    电话:0755-2394163213723794312(微信同号)

    地址:广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。

  • 865000

  • NEC

  • TO-252

  • 最新批号

  • -
  • 一级代理.原装特价现货!

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  • 制造商
  • RENESAS
  • 制造商全称
  • Renesas Technology Corp
  • 功能描述
  • MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR
NP36N10SDE 技术参数
  • NP04SZB4R7N 功能描述:4.7μH Shielded Inductor 1.6A 100 mOhm Max Nonstandard 制造商:taiyo yuden 系列:NP 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 类型:- 材料 - 磁芯:铁氧体 电感:4.7μH 容差:±30% 额定电流:1.6A 电流 - 饱和值:1.8A 屏蔽:屏蔽 DC 电阻(DCR):100 毫欧最大 不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:27MHz 等级:- 工作温度:-25°C ~ 105°C 频率 - 测试:1kHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:非标准 大小/尺寸:0.197" 长 x 0.197" 宽(5.00mm x 5.00mm) 高度 - 安装(最大值):0.079"(2.00mm) 标准包装:10 NP04SZB2R2N 功能描述:2.2μH Shielded Inductor 2.5A 42 mOhm Max Nonstandard 制造商:taiyo yuden 系列:NP 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 类型:- 材料 - 磁芯:铁氧体 电感:2.2μH 容差:±30% 额定电流:2.5A 电流 - 饱和值:2.7A 屏蔽:屏蔽 DC 电阻(DCR):42 毫欧最大 不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:60MHz 等级:- 工作温度:-25°C ~ 105°C 频率 - 测试:1kHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:非标准 大小/尺寸:0.197" 长 x 0.197" 宽(5.00mm x 5.00mm) 高度 - 安装(最大值):0.079"(2.00mm) 标准包装:10 NP04SZB220M 功能描述:22μH Shielded Inductor 770mA 300 mOhm Max Nonstandard 制造商:taiyo yuden 系列:NP 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 类型:- 材料 - 磁芯:铁氧体 电感:22μH 容差:±20% 额定电流:770mA 电流 - 饱和值:770mA 屏蔽:屏蔽 DC 电阻(DCR):300 毫欧最大 不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:10MHz 等级:- 工作温度:-25°C ~ 105°C 频率 - 测试:1kHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:非标准 大小/尺寸:0.197" 长 x 0.197" 宽(5.00mm x 5.00mm) 高度 - 安装(最大值):0.079"(2.00mm) 标准包装:10 NP04SZB1R0N 功能描述:1μH Shielded Wirewound Inductor 3.2A 30 mOhm Max Nonstandard 制造商:taiyo yuden 系列:NP 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 类型:绕线 材料 - 磁芯:铁氧体 电感:1μH 容差:±30% 额定电流:3.2A 电流 - 饱和值:4A 屏蔽:屏蔽 DC 电阻(DCR):30 毫欧最大 不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:96MHz 等级:- 工作温度:-25°C ~ 105°C 频率 - 测试:1kHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:非标准 大小/尺寸:0.197" 长 x 0.197" 宽(5.00mm x 5.00mm) 高度 - 安装(最大值):0.079"(2.00mm) 标准包装:10 NP04SZB100M 功能描述:10μH Shielded Inductor 1.2A 130 mOhm Max Nonstandard 制造商:taiyo yuden 系列:NP 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 类型:- 材料 - 磁芯:铁氧体 电感:10μH 容差:±20% 额定电流:1.2A 电流 - 饱和值:1.3A 屏蔽:屏蔽 DC 电阻(DCR):130 毫欧最大 不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:15MHz 等级:- 工作温度:-25°C ~ 105°C 频率 - 测试:1kHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:非标准 大小/尺寸:0.197" 长 x 0.197" 宽(5.00mm x 5.00mm) 高度 - 安装(最大值):0.079"(2.00mm) 标准包装:10 NP40N10PDF-E1-AY NP40N10YDF-E1-AY NP4-12 NP48N055KLE-E1-AY NP48N055MLE-S18-AY NP48N055NLE-S18-AY N-P50 NP50P03YDG-E1-AY NP50P04KDG-E1-AY NP50P04SDG-E1-AY NP50P06KDG-E1-AY NP50P06SDG-E1-AY NP52N055SUG-E1-AY NP52N06SLG-E1-AY NP55N03SUG-E1-AY NP55N04SUG-E1-AY NP55N055SDG-E1-AY NP55N055SUG-E1-AY
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