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NP5Q128A13ESFCOE

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  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

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NP5Q128A13ESFCOE 技术参数
  • NP5Q128A13ESFC0E 功能描述:128MBIT P5Q PCM HV 3V SOIC LF RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:Omneo™ 标准包装:1 系列:- 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:闪存 - NAND 存储容量:4G(256M x 16) 速度:- 接口:并联 电源电压:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:48-TFSOP(0.724",18.40mm 宽) 供应商设备封装:48-TSOP I 包装:Digi-Reel® 其它名称:557-1461-6 NP5Q064AE3ESFC0E 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:IC PCM 64MBIT 33MHZ SOIC NP5Q032AE3ESFC0E 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:IC PCM 32MBIT 33MHZ SOIC NP04SZB4R7N 功能描述:4.7μH Shielded Inductor 1.6A 100 mOhm Max Nonstandard 制造商:taiyo yuden 系列:NP 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 类型:- 材料 - 磁芯:铁氧体 电感:4.7μH 容差:±30% 额定电流:1.6A 电流 - 饱和值:1.8A 屏蔽:屏蔽 DC 电阻(DCR):100 毫欧最大 不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:27MHz 等级:- 工作温度:-25°C ~ 105°C 频率 - 测试:1kHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:非标准 大小/尺寸:0.197" 长 x 0.197" 宽(5.00mm x 5.00mm) 高度 - 安装(最大值):0.079"(2.00mm) 标准包装:10 NP04SZB2R2N 功能描述:2.2μH Shielded Inductor 2.5A 42 mOhm Max Nonstandard 制造商:taiyo yuden 系列:NP 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 类型:- 材料 - 磁芯:铁氧体 电感:2.2μH 容差:±30% 额定电流:2.5A 电流 - 饱和值:2.7A 屏蔽:屏蔽 DC 电阻(DCR):42 毫欧最大 不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:60MHz 等级:- 工作温度:-25°C ~ 105°C 频率 - 测试:1kHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:非标准 大小/尺寸:0.197" 长 x 0.197" 宽(5.00mm x 5.00mm) 高度 - 安装(最大值):0.079"(2.00mm) 标准包装:10 NP60N04MUK-S18-AY NP60N04NUK-S18-AY NP60N04VUK-E1-AY NP60N055KUG-E1-AY NP60N055MUK-S18-AY NP60N055NUK-S18-AY NP60N055VUK-E1-AY N-P68 NP70N04MUG-S18-AY NP70N10KUF-E1-AY NP74N04YUG-E1-AY NP75N04YUG-E1-AY NP75P03YDG-E1-AY NP75P04YLG-E1-AY NP80N03KDE-E1-AY NP80N03KLE-E1-AY NP80N03MLE-S18-AY NP80N04KHE-E1-AY
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