您好，欢迎来到买卖IC网登录 | 免费注册

NX3020NAKW115

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

1/1页 40条/页共40条
1

您是不是要找： NX302100 NX302101 NX302102 NX302103 NX302105 NX30H-68P/CA-MD NX30H-68P/CA-MD(61) NX30H-68P/CK-MP NX30H-68P/CK-MP(01)

NX3020NAKW115 PDF下载 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

NX3020NAKW115 技术参数

NX3020NAKW,115 功能描述:MOSFET N-CH 30V 180MA SOT323 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:180mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:0.44nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:13pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:260mW（Ta），1.1W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:4.5 欧姆 @ 100mA，10V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:SOT-323-3 封装/外壳:SC-70，SOT-323 标准包装:1 NX3020NAKV,115 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 0.2A SOT666 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:2 个 N 沟道（双） FET 功能:逻辑电平门漏源电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:200mA 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:4.5 欧姆 @ 100mA，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:0.44nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:13pF @ 10V 功率 - 最大值:375mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SOT-563，SOT-666 供应商器件封装:SOT-666 标准包装:1 NX3020NAKT,115 功能描述:MOSFET N-CH 30V 180MA SC-75 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:180mA（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:4.5 欧姆 @ 100mA，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:0.44nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:13pF @ 10V 功率 - 最大值:230mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-75，SOT-416 供应商器件封装:SC-75 标准包装:1 NX3020NAKS,115 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 0.18A 6TSSOP 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:2 个 N 沟道（双） FET 功能:逻辑电平门漏源电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:180mA 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:4.5 欧姆 @ 100mA，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:0.44nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:13pF @ 10V 功率 - 最大值:375mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装:6-TSSOP 标准包装:1 NX3020NAK,215 功能描述:MOSFET N-CH 30V 200MA TO-236AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:200mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:0.44nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:13pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:300mW（Ta），1.06W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:4.5 欧姆 @ 100mA，10V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:TO-236AB（SOT23）封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 标准包装:1 NX30H-68P/CK-MP(61) NX30H-68P/CK-MP(62) NX30H-68P/IDCU-MP NX30H-68P/IDCU-MP(01) NX30H-68P/IDCU-MP(31) NX30H-68P/IDCU-MP(61) NX30H-68P/IDCU-MP(62) NX30P6090UKZ NX30P6093AUKZ NX30TA-15GP NX30TA-15HC NX30TA-15HC(61) NX30TA-15HC(62) NX30TA-15HC1 NX30TA-15HC1(61) NX30TA-15HC1(62) NX30TA-15PAA NX30TA-15PAA(50)