- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录20036 > N01L63W3AT25I (ON Semiconductor)IC SRAM 1MBIT 70NS 44TSOP PDF资料下载
参数资料
| 型号： | N01L63W3AT25I |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 8/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 1MBIT 70NS 44TSOP |
| 产品变化通告： | Product Obsolescence 14/Apr/2010 |
| 标准包装： | 135 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 异步 |
| 存储容量： | 1M (64K x 16) |
| 速度： | 70ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 2.3 V ~ 3.6 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 44-TSOP II |
| 包装： | 托盘 |
| 其它名称： | 766-1032 |
N01L63W3A
44-Lead TSOP II Package (T44)
18.41±0.13
10.16±0.13
11.76±0.20
DETAIL B
0.80mm REF
0.45
0.30
SEE DETAIL B
1.10±0.15
0 o -8 o
0.20
0.00
0.80mm REF
Note:
1. All dimensions in inches (Millimeters)
2. Package dimensions exclude molding flash
Rev. 9 | Page 8 of 10 | www.onsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| RCB106DHRD-S578 | CONN EDGECARD EXTEND 212POS .050 |
| VE-J34-CX-S | CONVERTER MOD DC/DC 48V 75W |
| EBM18DSXI | CONN EDGECARD 36POS DIP .156 SLD |
| ISL9014IRPPZ | IC REG LDO 1.85V .3A 10-DFN |
| N01L63W2AT25I | IC SRAM 1MBIT 70NS 44TSOP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| N01L63W3AT25IT | 功能描述:静态随机存取存储器 1MB 3V LOW PWR 静态随机存取存储器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |
| N01L63W3AT5I | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:1Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM 64K ?? 16 bit |
| N01L63W3AT5IT | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:1Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM 64K × 16 bit |
| N01L83W2A | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:1Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM 128K × 8 bit |
| N01L83W2AN25I | 功能描述:静态随机存取存储器 1MB 3V LOW PWR 静态随机存取存储器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。