- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录189003 > NAND02GW3B3BN1F (STMICROELECTRONICS) 256M X 8 FLASH 3V PROM, 35 ns, PDSO48 PDF资料下载
参数资料
| 型号： | NAND02GW3B3BN1F |
| 厂商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分类： | PROM |
| 英文描述： | 256M X 8 FLASH 3V PROM, 35 ns, PDSO48 |
| 封装： | 12 X 20 MM, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TSOP-48 |
| 文件页数： | 43/59页 |
| 文件大小： | 998K |
| 代理商： | NAND02GW3B3BN1F |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页第36页第37页第38页第39页第40页第41页第42页当前第43页第44页第45页第46页第47页第48页第49页第50页第51页第52页第53页第54页第55页第56页第57页第58页第59页
NAND512-B, NAND01G-B, NAND02G-B, NAND04G-B, NAND08G-B
48/59
Figure 31. Page Read Operation AC Waveform
Note: A fifth address cycle is required for 2Gb, 4Gb and 8Gb devices.
tEHEL
CL
E
W
AL
R
I/O
RB
tWLWL
tWHBL
tALLRL2
00h
Data
N
Data
N+1
Data
N+2
Data
Last
tRHBL
tEHBH
tWHBH
tRLRL
tEHQZ
tRHQZ
ai08660
Busy
Command
Code
Address N Input
Data Output
from Address N to Last Byte or Word in Page
Add.N
cycle 1
Add.N
cycle 4
Add.N
cycle 3
Add.N
cycle 2
(Read Cycle time)
tRLRH
tBLBH1
30h
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NAND02GW3B3CN6 | 256M X 8 FLASH 3V PROM, 35 ns, PDSO48 |
| NAND04GR3B3BN1F | 512M X 8 FLASH 1.8V PROM, 35 ns, PDSO48 |
| NAND512W3B3BN1E | 64M X 8 FLASH 3V PROM, 35 ns, PDSO48 |
| NAND512W3B3CN6E | 64M X 8 FLASH 3V PROM, 35 ns, PDSO48 |
| NAND512W3B3CZA6E | 64M X 8 FLASH 3V PROM, 35 ns, PBGA63 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NAND04GR3B2DDI6 | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NAND - Gel-pak, waffle pack, wafer, diced wafer on film |
| NAND04GR3B2DN6E | 功能描述:IC FLASH 4GBIT 48TSOP RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:576 系列:- 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:闪存 - NAND 存储容量:512M（64M x 8） 速度:- 接口:并联 电源电压:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） 供应商设备封装:48-TSOP 包装:托盘 其它名称:497-5040 |
| NAND04GR3B2DZL6F | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NAND - Tape and Reel |
| NAND04GR3B2EN6E | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NAND - Trays |
| NAND04GR3B2EN6F | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NAND - Tape and Reel |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。