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参数资料
| 型号： | NAND04GR4B2CN1F |
| 厂商： | NUMONYX |
| 元件分类： | PROM |
| 英文描述： | 256M X 16 FLASH 1.8V PROM, 35 ns, PDSO48 |
| 封装： | 12 X 20 MM, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TSOP-48 |
| 文件页数： | 18/57页 |
| 文件大小： | 887K |
| 代理商： | NAND04GR4B2CN1F |
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NAND01G-B, NAND02G-B, NAND04G-B, NAND08G-B
Figure 13. Copy Back Program
Note: Copy back program is only permitted between odd address pages or even address pages.
Figure 14. Page Copy Back Program with Random Data Input
I/O
RB
Source
Add Inputs
ai09858b
85h
Copy Back
Code
Read
Code
Read Status Register
Target
Add Inputs
tBLBH1
(Read Busy time)
Busy
tBLBH2
(Program Busy time)
00h
10h
70h
SR0
Busy
35h
I/O
RB
Source
Add Inputs
ai11001
85h
Read
Code
Target
Add Inputs
tBLBH1
(Read Busy time)
00h
Busy
35h
85h
Data
2 Cycle
Add Inputs
Data
Copy Back
Code
10h
70h
Unlimited number of repetitions
Busy
tBLBH2
(Program Busy time)
SR0
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NAND08GW3B2CZL1F | 1G X 8 FLASH 3V PROM, 25000 ns, PBGA52 |
| NAND128W3A2BV6E | 16M X 8 FLASH 3V PROM, 12000 ns, PDSO48 |
| NAND512R3A2CV6E | 64M X 8 FLASH 1.8V PROM, 15000 ns, PDSO48 |
| NAND128W4A2CZA6E | 8M X 16 FLASH 3V PROM, 35 ns, PBGA55 |
| NAND128R4A2BZA6E | 8M X 16 FLASH 1.8V PROM, 35 ns, PBGA55 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NAND04GR4B2DWFD | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NAND - Gel-pak, waffle pack, wafer, diced wafer on film |
| NAND04GR4B2EN6E | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NAND - Trays |
| NAND04GR4B2EN6F | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NAND - Tape and Reel |
| NAND04GW3B2AN6E | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:FLASH PARALLEL 3V/3.3V 4GBIT 512MX8 25US 48TSOP - Trays |
| NAND04GW3B2BE06 | 功能描述:闪存 NAND & S.MEDIA FLASH RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
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