型号: | NAND08GW3B2BZB1F |
厂商: | STMICROELECTRONICS |
元件分类: | PROM |
英文描述: | 1G X 8 FLASH 3V PROM, 25000 ns, PBGA63 |
封装: | 9.50 X 12 MM,1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, TFBGA-63 |
文件页数: | 1/59页 |
文件大小: | 1154K |
代理商: | NAND08GW3B2BZB1F |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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NAND08GW3B2BZB6 | 1G X 8 FLASH 3V PROM, 25000 ns, PBGA63 |
NM93CS56LVM8 | 128 X 16 MICROWIRE BUS SERIAL EEPROM, PDSO8 |
NSR510-7IP | 1-OUTPUT DC-DC REG PWR SUPPLY MODULE |
OFC-FC/UPC-MU2/APC-S-33-10 | INTERCONNECTION DEVICE |
OFC-FC/UPC-MU2/PC-D-20-10 | INTERCONNECTION DEVICE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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NAND08GW3B2CN6E | 功能描述:闪存 NAND & S.MEDIA FLASH RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
NAND08GW3B2CN6F | 功能描述:闪存 NAND & S.MEDIA FLASH RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
NAND08GW3B2CND | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NAND - Trays |
NAND08GW3B4BN6E | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NAND - Trays |
NAND08GW3B4BN6F | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NAND - Tape and Reel |