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参数资料
| 型号： | NAND08GW4B2BZB6 |
| 厂商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分类： | PROM |
| 英文描述： | 512M X 16 FLASH 3V PROM, 25000 ns, PBGA63 |
| 封装： | 9.50 X 12 MM,1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, TFBGA-63 |
| 文件页数： | 2/59页 |
| 文件大小： | 1154K |
| 代理商： | NAND08GW4B2BZB6 |
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NAND512-B, NAND01G-B, NAND02G-B, NAND04G-B, NAND08G-B
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Figure 4. TSOP48 and USOP48 Connections,
x8 devices
Figure 5. TSOP48 and USOP48 Connections,
x16 devices
I/O3
I/O2
I/O6
R
RB
NC
I/O4
I/O7
AI09374
NAND Flash
(x8)
12
1
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E
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NC
WP
W
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VDD
AL
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CL
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NC
I/O0
NC
PRL
VDD
NC
VSS
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I/O2
I/O6
R
RB
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I/O12
I/O10
I/O4
I/O7
AI09375
NAND Flash
(x16)
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I/O8
E
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NC
WP
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VSS
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I/O13
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VSS
NC
VSS
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NC
PRL
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VDD
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NAND128W3A0AN6 | 功能描述:闪存 NAND & S.MEDIA FLASH RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| NAND128W3A0AN6E | 功能描述:闪存 2.7-3.6V 128M(16Mx8) RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| NAND128W3A0AN6F | 功能描述:闪存 NAND & S.MEDIA FLASH RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| NAND128W3A0BN6E | 功能描述:闪存 2.7-3.6V 128M(16Mx8) RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| NAND128W3A0BN6F | 功能描述:闪存 NAND & S.MEDIA FLASH RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
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