- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录189003 > NAND128W3A2BV6E (STMICROELECTRONICS) 16M X 8 FLASH 3V PROM, 12000 ns, PDSO48 PDF资料下载
参数资料
| 型号： | NAND128W3A2BV6E |
| 厂商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分类： | PROM |
| 英文描述： | 16M X 8 FLASH 3V PROM, 12000 ns, PDSO48 |
| 封装： | 12 X 17 MM, 0.65 MM HEIGHT, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, USOP-48 |
| 文件页数： | 41/56页 |
| 文件大小： | 951K |
| 代理商： | NAND128W3A2BV6E |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页第36页第37页第38页第39页第40页当前第41页第42页第43页第44页第45页第46页第47页第48页第49页第50页第51页第52页第53页第54页第55页第56页
NAND128-A, NAND256-A, NAND512-A, NAND01G-A
46/56
Data Protection
The ST NAND device is designed to guarantee
Data Protection during Power Transitions.
A VDD detection circuit disables all NAND opera-
tions, if VDD is below the VLKO threshold.
In the VDD range from VLKO to the lower limit of
nominal range, the WP pin should be kept low
(VIL) to guarantee hardware protection during
power transitions as shown in the below figure.
Figure 36. Data Protection
Ai11086
VLKO
VDD
W
Nominal Range
Locked
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NAND512R3A2CV6E | 64M X 8 FLASH 1.8V PROM, 15000 ns, PDSO48 |
| NAND128W4A2CZA6E | 8M X 16 FLASH 3V PROM, 35 ns, PBGA55 |
| NAND128R4A2BZA6E | 8M X 16 FLASH 1.8V PROM, 35 ns, PBGA55 |
| NAND256R4A0DN6T | 16M X 16 FLASH 1.8V PROM, 15000 ns, PDSO48 |
| NAND256R4A2DZA1F | 16M X 16 FLASH 1.8V PROM, 15000 ns, PBGA63 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NAND128W3A2BWFD | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NAND - Gel-pak, waffle pack, wafer, diced wafer on film |
| NAND128W3AABN6E | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NAND - Trays |
| NAND128W3AABN6F | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NAND - Tape and Reel |
| NAND128W4A0AN6E | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:FLASH PARALLEL 3V/3.3V 128MBIT 8MX16 12US 48TSOP - Trays |
| NAND16GAH0HZA5E | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NAND EMMC - Trays |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。