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参数资料
| 型号： | NAND128W4A2CZA6E |
| 厂商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分类： | PROM |
| 英文描述： | 8M X 16 FLASH 3V PROM, 35 ns, PBGA55 |
| 封装： | 8 X 10 MM, 1 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, VFBGA-55 |
| 文件页数： | 37/56页 |
| 文件大小： | 1209K |
| 代理商： | NAND128W4A2CZA6E |
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NAND128-A, NAND256-A, NAND512-A, NAND01G-A
42/56
Figure 29. Read C Operation, One Page AC Waveform
Note: 1. A0-A7 is the address in the Spare Memory area, where A0-A3 are valid and A4-A7 are ‘don’t care’.
CL
E
W
AL
R
I/O
RB
tWHALL
Data M
Data
Last
tALLRL2
ai08035b
tWHBH
tBHRL
50h
Add. M
cycle 1
Add. M
cycle 4
Add. M
cycle 3
Add. M
cycle 2
Busy
Command
Code
Address M Input
Data Output from M to
Last Byte or Word in Area C
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NAND128R4A2BZA6E | 8M X 16 FLASH 1.8V PROM, 35 ns, PBGA55 |
| NAND256R4A0DN6T | 16M X 16 FLASH 1.8V PROM, 15000 ns, PDSO48 |
| NAND256R4A2DZA1F | 16M X 16 FLASH 1.8V PROM, 15000 ns, PBGA63 |
| NAND256W3A1BZA1E | 32M X 8 FLASH 3V PROM, 12000 ns, PBGA63 |
| NAND256W3A1DN1F | 32M X 8 FLASH 3V PROM, 12000 ns, PDSO48 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NAND16GAH0HZA5E | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NAND EMMC - Trays |
| NAND16GAH0HZA5F | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NAND EMMC - Tape and Reel |
| NAND16GAHAPZO6E | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:AUTOMOTIVE - Trays |
| NAND16GW3B6DPA6E | 功能描述:IC FLASH 16GBIT 114LFBGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:576 系列:- 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:闪存 - NAND 存储容量:512M（64M x 8） 速度:- 接口:并联 电源电压:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） 供应商设备封装:48-TSOP 包装:托盘 其它名称:497-5040 |
| NAND16GW3B6DPA6F | 功能描述:IC FLASH 16GBIT 114LFBGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:576 系列:- 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:闪存 - NAND 存储容量:512M（64M x 8） 速度:- 接口:并联 电源电压:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） 供应商设备封装:48-TSOP 包装:托盘 其它名称:497-5040 |
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