- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录189002 > NAND512W3A0AZA1E (STMICROELECTRONICS) 64M X 8 FLASH 3V PROM, 35 ns, PBGA63 PDF资料下载
参数资料
| 型号： | NAND512W3A0AZA1E |
| 厂商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分类： | PROM |
| 英文描述： | 64M X 8 FLASH 3V PROM, 35 ns, PBGA63 |
| 封装： | 9 X 11 MM, 1 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, VFBGA-63 |
| 文件页数： | 10/57页 |
| 文件大小： | 916K |
| 代理商： | NAND512W3A0AZA1E |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页当前第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页第36页第37页第38页第39页第40页第41页第42页第43页第44页第45页第46页第47页第48页第49页第50页第51页第52页第53页第54页第55页第56页第57页
NAND128-A, NAND256-A, NAND512-A, NAND01G-A
18/57
Table 6. Address Insertion, x8 Devices
Note: 1. A8 is set Low or High by the 00h or 01h Command, see Pointer Operations section.
2. Any additional address input cycles will be ignored.
3. The 4th cycle is only required for 512Mb and 1Gb devices.
Table 7. Address Insertion, x16 Devices
Note: 1. A8 is Don’t Care in x16 devices.
2. Any additional address input cycles will be ignored.
3. The 01h Command is not used in x16 devices.
4. The 4th cycle is only required for 512Mb and 1Gb devices.
Table 8. Address Definitions
Bus Cycle
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
I/O3
I/O2
I/O1
I/O0
1st
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
2nd
A16
A15
A14
A13
A12
A11
A10
A9
3rd
A24
A23
A22
A21
A20
A19
A18
A17
4th(4)
VIL
A26
A25
Bus
Cycle
I/O8-
I/O15
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
I/O3
I/O2
I/O1
I/O0
1st
X
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
2nd
X
A16
A15
A14
A13
A12
A11
A10
A9
3rd
X
A24
A23
A22
A21
A20
A19
A18
A17
4th(4)
X
VIL
A26
A25
Address
Definition
A0 - A7
Column Address
A9 - A26
Page Address
A9 - A13
Address in Block
A14 - A26
Block Address
A8
A8 is set Low or High by the 00h or 01h Command, and is
Don’t Care in x16 devices
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NAND512W3A2BN1E | 64M X 8 FLASH 3V PROM, 35 ns, PDSO48 |
| NAND512W3A0AV1E | 64M X 8 FLASH 3V PROM, 35 ns, PDSO48 |
| NAND128R3A0CV6T | 16M X 8 FLASH 1.8V PROM, 35 ns, PDSO48 |
| NAND512W4A0AV1F | 32M X 16 FLASH 3V PROM, 35 ns, PDSO48 |
| NAND512W4A0AV1 | 32M X 16 FLASH 3V PROM, 35 ns, PDSO48 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NAND512W3A2BE06 | 制造商:STMicroelectronics 功能描述:512 MBIT NAND FLASH MEMORY WAFER |
| NAND512W3A2BN6E | 功能描述:闪存 2.7-3.6V 512M(64Mx8) RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| NAND512W3A2BN6F | 功能描述:闪存 NAND 512 MEG RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| NAND512W3A2BZA6E | 功能描述:闪存 MEDIA FLSH RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| NAND512W3A2CE06 | 功能描述:闪存 NAND & S.MEDIA FLASH RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。