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参数资料
| 型号： | NAND512W3A0BZB1E |
| 厂商： | NUMONYX |
| 元件分类： | PROM |
| 英文描述： | 64M X 8 FLASH 3V PROM, 35 ns, PBGA55 |
| 封装： | 8 X 10 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, TFBGA-55 |
| 文件页数： | 1/57页 |
| 文件大小： | 916K |
| 代理商： | NAND512W3A0BZB1E |
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February 2005
NAND128-A, NAND256-A
NAND512-A, NAND01G-A
128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16)
528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories
FEATURES SUMMARY
■
HIGH DENSITY NAND FLASH MEMORIES
–
Up to 1 Gbit memory array
–
Up to 32 Mbit spare area
–
Cost effective solutions for mass storage
applications
■
NAND INTERFACE
–
x8 or x16 bus width
–
Multiplexed Address/ Data
–
Pinout compatibility for all densities
■
SUPPLY VOLTAGE
–
1.8V device: VDD = 1.7 to 1.95V
–
3.0V device: VDD = 2.7 to 3.6V
■
PAGE SIZE
–
x8 device: (512 + 16 spare) Bytes
–
x16 device: (256 + 8 spare) Words
■
BLOCK SIZE
–
x8 device: (16K + 512 spare) Bytes
–
x16 device: (8K + 256 spare) Words
■
PAGE READ / PROGRAM
–
Random access: 12s (max)
–
Sequential access: 50ns (min)
–
Page program time: 200s (typ)
■
COPY BACK PROGRAM MODE
–
Fast page copy without external buffering
■
FAST BLOCK ERASE
–
Block erase time: 2ms (Typ)
■
STATUS REGISTER
■
ELECTRONIC SIGNATURE
■
CHIP ENABLE ‘DON’T CARE’ OPTION
–
Simple interface with microcontroller
■
SERIAL NUMBER OPTION
■
HARDWARE DATA PROTECTION
–
Program/Erase locked during Power
transitions
Figure 1. Packages
■
DATA INTEGRITY
–
100,000 Program/Erase cycles
–
10 years Data Retention
■
RoHS COMPLIANCE
–
Lead-Free Components are Compliant
with the RoHS Directive
■
DEVELOPMENT TOOLS
–
Error Correction Code software and
hardware models
–
Bad Blocks Management and Wear
Leveling algorithms
–
File System OS Native reference software
–
Hardware simulation models
TSOP48 12 x 20mm
VFBGA55 8 x 10 x 1mm
TFBGA55 8 x 10 x 1.2mm
VFBGA63 9 x 11 x 1mm
TFBGA63 9 x 11 x 1.2mm
FBGA
USOP48 12 x 17 x 0.65mm
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NAND512W3A2AZB1E | 64M X 8 FLASH 3V PROM, 35 ns, PBGA55 |
| NAND01GW3A3AZA1T | 128M X 8 FLASH 3V PROM, 12000 ns, PBGA63 |
| NAND512W3A2AZA1T | 64M X 8 FLASH 3V PROM, 35 ns, PBGA63 |
| NAND512W3A0AV6T | 64M X 8 FLASH 3V PROM, 35 ns, PDSO48 |
| NAND512R4A3AZB6 | 32M X 16 FLASH 1.8V PROM, 10000 ns, PBGA55 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NAND512W3A2BE06 | 制造商:STMicroelectronics 功能描述:512 MBIT NAND FLASH MEMORY WAFER |
| NAND512W3A2BN6E | 功能描述:闪存 2.7-3.6V 512M(64Mx8) RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| NAND512W3A2BN6F | 功能描述:闪存 NAND 512 MEG RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| NAND512W3A2BZA6E | 功能描述:闪存 MEDIA FLSH RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| NAND512W3A2CE06 | 功能描述:闪存 NAND & S.MEDIA FLASH RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
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