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参数资料
| 型号： | NAND512W3A2C |
| 厂商： | 意法半导体 |
| 英文描述： | 512 Mbit, 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories |
| 中文描述： | 512兆位，528 Byte/264字的页面，1.8V/3V，NAND闪存芯片 |
| 文件页数： | 1/51页 |
| 文件大小： | 517K |
| 代理商： | NAND512W3A2C |
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February 2007
Rev 1
1/51
1
NAND512R3A2C NAND512R4A2C
NAND512W3A2C NAND512W4A2C
512 Mbit, 528 Byte/264 Word Page,
1.8V/3V, NAND Flash Memories
Features
●
High density NAND Flash memories
–
512 Mbit memory array
–
Cost effective solutions for mass
storage applications
●
NAND interface
–
x8 or x16 bus width
–
Multiplexed Address/ Data
●
Supply voltage: 1.8V, 3.0V
●
Page size
–
x8 device: (512 + 16 spare) Bytes
–
x16 device: (256 + 8 spare) Words
●
Block size
–
x8 device: (16K + 512 spare) Bytes
–
x16 device: (8K + 256 spare) Words
●
Page Read/Program
–
Random access:
12s (3V)/15s (1.8V) (max)
–
Sequential access:
30ns (3V)/50ns (1.8V) (min)
–
Page Program time: 200s (typ)
●
Copy Back Program mode
●
Fast Block Erase: 2ms (Typ)
●
Status Register
●
Electronic Signature
●
Chip Enable ‘don’t care’
●
Serial Number option
●
Hardware Data Protection
–
Program/Erase locked during Power
transitions
●
Data integrity
–
100,000 Program/Erase cycles (with
ECC)
–
10 years Data Retention
●
ECOPACK packages
●
Development tools
–
Error Correction Code models
–
Bad Blocks Management and Wear
Leveling algorithms
–
Hardware simulation models
FBGA
TSOP48 12 x 20mm
VFBGA55 8 x 10 x 1mm
VFBGA63 9 x 11 x 1mm
Table 1.
Device summary
Reference
Part Number
NAND512-A2C
NAND512R3A2C
NAND512R4A2C(1)
NAND512W3A2C
NAND512W4A2C(1)
1. x16 organization only available for MCP.
www.st.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NAT-3DC-2A+ | 1000 MHz - 3500 MHz RF/MICROWAVE FIXED ATTENUATOR |
| NC26SM-SLF-0.032768MHZ-EZM12510 | QUARTZ CRYSTAL RESONATOR, 0.032768 MHz |
| NCB-CA55SMPGA1 | 77 CONTACT(S), MALE, STRAIGHT TWO PART BOARD CONNECTOR, PRESS FIT |
| NCCA39C-FREQ-OUT23 | CRYSTAL OSCILLATOR, CLOCK, 0.25 MHz - 4 MHz, CMOS/TTL OUTPUT |
| NCCA39B-FREQ-OUT23 | CRYSTAL OSCILLATOR, CLOCK, 0.25 MHz - 4 MHz, CMOS/TTL OUTPUT |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NAND512W3A2CE06 | 功能描述:闪存 NAND & S.MEDIA FLASH RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| NAND512W3A2CN6E | 功能描述:闪存 512 MBIT MEM ARRAY NAND FLASH MEMORY RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| NAND512W3A2CN6F | 功能描述:闪存 512 MB 528 Byte 264 word pg 1.8V/3V RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| NAND512W3A2CZA6E | 功能描述:IC FLASH 512MBIT 63VFBGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 产品变化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 标准包装:136 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步，DDR II 存储容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并联 电源电压:1.7 V ~ 1.9 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:165-TBGA 供应商设备封装:165-CABGA（13x15） 包装:托盘 其它名称:71P71804S200BQ |
| NAND512W3A2DDI6 | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NAND - Gel-pak, waffle pack, wafer, diced wafer on film |
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