参数资料
型号: NCP1575D
厂商: ON Semiconductor
文件页数: 5/16页
文件大小: 0K
描述: IC REG CTRLR BUCK PWM 8-SOIC
产品变化通告: Product Obsolescence 11/Feb/2009
标准包装: 98
PWM 型: 电流/电压模式,V²?
输出数: 1
频率 - 最大: 320kHz
电源电压: 9 V ~ 20 V
降压:
升压:
回扫:
反相:
倍增器:
除法器:
Cuk:
隔离:
工作温度: 0°C ~ 125°C
封装/外壳: 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
包装: 管件
NCP1575
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (0 ° C < T J < 125 ° C, 9.0 V < V CC < 20 V, C GATE(H) = C GATE(L) = 3.3 nF,
C COMP = 0.1 m F, R OSC = 74 k W ; unless otherwise specified.) Note 3
Characteristic
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
GATE(H) and GATE(L)
Rise Time
1.0 V < GATE(L), GATE(H) < V CC ? 2.0 V,
?
40
80
ns
V CC = 12 V
Fall Time
V CC ? 2.0 V < GATE(L), GATE(H) < 1.0 V,
?
40
80
ns
V CC = 12 V
GATE(H) to GATE(L) Delay
GATE(L) to GATE(H) Delay
Minimum Pulse Width
High Voltage (AC)
GATE(H) < 2.0 V, GATE(L) > 2.0 V
GATE(L) < 2.0 V, GATE(H) > 2.0 V
GATE(X) = 4.0 V
Measure GATE(L) or GATE(H)
40
40
?
V CC ?
60
60
250
V CC
105
105
?
?
ns
ns
ns
V
0.5 nF < C GATE(H) = C GATE(L) < 10 nF, Note 4
0.5
Low Voltage (AC)
Measure GATE(L) or GATE(H)
?
0
0.5
V
0.5 nF < C GATE(H) = C GATE(L) < 10 nF, Note 4
GATE(H)/(L) Pull?Down
Resistance to GND. Note 4
20
50
115
k W
PWM Comparator
PWM Comparator Offset
V FB = 0 V, Increase COMP Until GATE(H)
0.415
0.465
0.525
V
Starts Switching
Ramp Max Duty Cycle
Artificial Ramp
Transient Response
V FB Input Range
?
Duty Cycle = 50%, R OSC = 74 k W
COMP = 1.5 V, V FB 20 mV Overdrive. Note 4
Note 4
?
50
?
0
80
63
200
?
?
75
300
1.4
%
mV
ns
V
Oscillator
Switching Frequency
R OSC Not Used
R OSC = 74 k W
170
240
200
280
230
320
kHz
kHz
General Electrical Specifications
V CC Supply Current
Start Threshold
Stop Threshold
Hysteresis
COMP = 0 V (No Switching)
GATE(H) Switching, COMP Charging
GATE(H) Not Switching, COMP Discharging
Start ? Stop
?
8.0
7.0
0.75
9.0
8.5
7.5
1.0
12
9.0
8.0
1.25
mA
V
V
V
3. Characteristics at temperature extremes are guaranteed via correlation using quality statistical control methods.
4. Guaranteed by design. Not tested in production.
http://onsemi.com
5
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