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参数资料
| 型号： | NCP2820MUTBG |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 21/21页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC PWR AMP AUD 2.65W D 8UDFN |
| 标准包装： | 1 |
| 类型： | D 类 |
| 输出类型： | 1-通道（单声道） |
| 在某负载时最大输出功率 x 通道数量： | 2.65W x 1 @ 4 欧姆 |
| 电源电压： | 2.5 V ~ 5.5 V |
| 特点： | 消除爆音，差分输入，短路和热保护，关闭 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 供应商设备封装： | 8-UDFN（2x2.2） |
| 封装/外壳： | 8-UFDFN 裸露焊盘 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | NCP2820MUTBGOSDKR |
NCP2820 Series
http://onsemi.com
9
TYPICAL CHARACTERISTICS
0.01
0.1
1.0
10
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
THD+N
(%)
Pout (W)
Vp = 3 V
RL = 8 W
f = 1 kHz
0.01
0.1
1.0
10
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
THD+N
(%)
Pout (W)
Vp = 4.2 V
RL = 8 W
f = 1 kHz
EFFICIENCY
%
Pout (W)
Vp = 3.6 V
RL = 4 W
Class AB
100
0
0.2
0.4
DIE
TEMPERA
TURE
(°
C)
Pout (W)
0.6
0.8
90
80
70
60
50
40
30
20
1.0
Vp = 3.6 V
RL = 4 W
NCP2820
Class AB
Figure 9. Efficiency vs. Pout
Vp = 3.6 V, RL = 4 W, f = 1 kHz
Figure 10. Die Temperature vs. Pout
Vp = 3.6 V, RL = 4 W, f = 1 kHz @ TA = +25°C
Figure 11. THD+N vs. Pout
Vp = 5 V, RL = 8 W, f = 1 kHz
0.01
0.1
1.0
10
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
Figure 12. THD+N vs. Pout
Vp = 4.2 V, RL = 8 W, f = 1 kHz
Figure 13. THD+N vs. Pout
Vp = 3.6 V, RL = 8 W, f = 1 kHz
Figure 14. THD+N vs. Pout
Vp = 3 V, RL = 8 W, f = 1 kHz
THD+N
(%)
Pout (W)
Vp = 5.0 V
RL = 8 W
f = 1 kHz
0.01
0.1
1.0
10
0
0.2
0.4
0.6
0.8
THD+N
(%)
Pout (W)
Vp = 3.6 V
RL = 8 W
f = 1 kHz
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
NCP2820 mDFN
NCP2820 CSP
NCP2820 mDFN
NCP2820 CSP
NCP2820 mDFN
NCP2820 CSP
NCP2820 mDFN
NCP2820 CSP
NCP2820 mDFN
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参数描述 |
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