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参数资料
| 型号： | NCP302LSN47T1G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 7/26页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC VOLT DETECT CMOS 4.7V 5TSOP |
| 标准包装： | 1 |
| 类型： | 简单复位/加电复位 |
| 监视电压数目： | 1 |
| 输出： | 推挽式，图腾柱 |
| 复位： | 低有效 |
| 复位超时： | 可调节/可选择 |
| 电压 - 阀值： | 4.7V |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-TSOP（0.059"，1.50mm 宽）5 引线 |
| 供应商设备封装： | 5-TSOP |
| 包装： | 剪切带 (CT) |
| 其它名称： | NCP302LSN47T1GOSCT |
NCP302, NCP303
Input Voltage,
Pin 2
V DET+ + 2.0 V
0.7 V
GND
V DET+ + 2.0 V
NCP302L
V DET+ + 2.0 V
0.7 V
GND
5.0 V
NCP303L
Reset Output
Voltage, Pin 1
V DET+ + 2.0 V
2
GND
2.5 V
GND
t D1
t D2
t D1
t D2
NCP302 and NCP303 series are measured with a 10 pF capacitive load. NCP303 has an additional 470 k pullup resistor
connected from the reset output to +5.0 V. The reset output voltage waveforms are shown for the active low ‘L’ devices. Output
time delay t D1 and t D2 are dependent upon the delay capacitance. Refer to Figures 30, 31, and 32. The upper detector
threshold, V DET+ is the sum of the lower detector threshold, V DET ? plus the input hysteresis, V HYS .
Figure 2. Measurement Conditions for t D1 and t D2
http://onsemi.com
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