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参数资料
| 型号： | NCP5359AMNR2G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC MOSFET GATE DVR DUAL 8-DFN |
| 标准包装： | 1 |
| 配置： | 高端和低端，同步 |
| 输入类型： | PWM |
| 延迟时间： | 10ns |
| 配置数： | 1 |
| 输出数： | 2 |
| 高端电压 - 最大（自引导启动）： | 30V |
| 电源电压： | 10 V ~ 13.2 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 85°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-VFDFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 8-DFN（2x2） |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | NCP5359AMNR2GOSDKR |
NCP5359A
MAXIMUM RATINGS
Rating
Symbol
Value
Unit
Thermal Characteristics, Plastic Package
Thermal Resistance Junction ? to ? Air
Operating Junction Temperature Range
Operating Ambient Temperature Range
Storage Temperature Range
Moisture Sensitivity Level
SOIC ? 8
(20.2 sq mm, 2 oz Cu) DFN8
SOIC ? 8
DFN8
R q JA
T J
T A
T stg
MSL
178
330
0 to +150
0 to +85
? 55 to +150
1
1
° C/W
° C
° C
° C
?
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum Ratings are stress ratings only. Functional operation above the
Recommended Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the Recommended Operating Conditions may affect
device reliability.
MAXIMUM RATINGS
Pin Symbol
Vcc
BST
Pin Name
Main Supply Voltage Input
Bootstrap Supply voltage
V MAX
15 V
35 V wrt / GND
V MIN
? 0.3 V
? 0.3 V wrt / SW
40 V ≤ 50 ns wrt / GND
15 V wrt / SW
SW
DRVH
Switching Node
(Bootstrap Supply Return)
High Side Driver Output
35 V wrt / GND
40 V ≤ 50 ns wrt / GND
BST + 0.3 V
35 V ≤ 50 ns wrt / GND
? 1 VDC
? 10 V (200 ns)
? 0.3 V wrt / SW
? 2 V (200 ns) wrt / SW
15 V wrt / SW
DRVL
Low Side Driver Output
Vcc + 0.3 V
? 0.3 V
? 5 V (200 ns)
PWM
EN
GND
DRVH and DRVL Control Input
Enable Pin
Ground
6V
6V
0V
? 0.3 V
? 0.3 V
0V
PD +
1. Latchup Current Maximum Rating: 100 mA per JEDEC standard: JESD78.
2. Moisture Sensitivity Level (MSL): 1&3 per IPC/JEDEC standard: J ? STD ? 020A.
3. The maximum package power dissipation limit must not be exceeded.
TJ(max) * TA
R q JA
NOTE: This device is ESD sensitive. Use standard ESD precautions when handling.
http://onsemi.com
4
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 591D156X0016B2T15H | CAP TANT 15UF 16V 20% 1611 |
| EEM12DTMS-S189 | CONN EDGECARD 24POS R/A .156 SLD |
| GBM10DTMS | CONN EDGECARD 20POS R/A .156 SLD |
| F911A337KNC | CAP TANT 330UF 10V 10% 2917 |
| GCM08DSUS | CONN EDGECARD 16POS DIP .156 SLD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NCP5359AMNTBG | 功能描述:功率驱动器IC DUAL MOSFET GATE DRIVER RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| NCP5359DR2G | 功能描述:功率驱动器IC SINGLE GATE DRIVER RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| NCP5359MNR2G | 功能描述:功率驱动器IC SINGLE GATE DRIVER RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| NCP5360AMNR2G | 功能描述:功率驱动器IC NCP5360A 48A SETUP RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| NCP5360RMNR2G | 功能描述:功率驱动器IC INTEGRATED DRIVER MOSFET RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
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