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参数资料
| 型号： | NCP5359MNR2G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 8/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC GATE DRIVER VR11.1/AMD 10DFN |
| 产品变化通告： | NCP5359 Electrical Change 15/Sept/2008 |
| 标准包装： | 3,000 |
| 配置： | 高端和低端，同步 |
| 输入类型： | PWM |
| 延迟时间： | 10ns |
| 配置数： | 1 |
| 输出数： | 2 |
| 高端电压 - 最大（自引导启动）： | 35V |
| 电源电压： | 10 V ~ 13.2 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 85°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 10-VFDFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 10-DFN（3x3） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NCP5359
PACKAGE DIMENSIONS
DFN10, 3x3
MN SUFFIX
CASE 485C ? 01
ISSUE B
(Optional)
2X
10X
PIN 1
REFERENCE
0.15 C
2X 0.15 C
0.10 C
0.08 C
D
TOP VIEW
DETAIL B
SIDE VIEW
(A3)
A
B
E
A1
A
C
EDGE OF PACKAGE
L1
DETAIL A
Bottom View
(Optional)
EXPOSED Cu
MOLD CMPD
A1
DETAIL B
SEATING Side View
PLANE
A3
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER
ASME Y14.5M, 1994.
2. CONTROLLING DIMENSION: MILLIMETERS.
3. DIMENSION b APPLIES TO PLATED
TERMINAL AND IS MEASURED BETWEEN
0.25 AND 0.30 MM FROM TERMINAL.
4. COPLANARITY APPLIES TO THE EXPOSED
PAD AS WELL AS THE TERMINALS.
5. TERMINAL b MAY HAVE MOLD COMPOUND
MATERIAL ALONG SIDE EDGE. MOLD
FLASHING MAY NOT EXCEED 30 MICRONS
ONTO BOTTOM SURFACE OF TERMINAL b.
6. DETAILS A AND B SHOW OPTIONAL VIEWS
FOR END OF TERMINAL LEAD AT EDGE OF
PACKAGE.
MILLIMETERS
DIM MIN MAX
A 0.80 1.00
A1 0.00 0.05
A3 0.20 REF
b 0.18 0.30
D 3.00 BSC
D2 2.40 2.60
E 3.00 BSC
E2 1.70 1.90
e 0.50 BSC
K 0.19 TYP
10X
L
1
e
D2
5
DETAIL A
L 0.35 0.45
L1 0.00 0.03
SOLDERING FOOTPRINT*
2.6016
10X
K
E2
10X
b
10
6
2.1746
1.8508
3.3048
0.10 C A B
BOTTOM VIEW
0.05 C
NOTE 3
10X
0.5651
10X
0.3008
0.5000 PITCH
DIMENSIONS: MILLIMETERS
*For additional information on our Pb ? Free strategy and soldering
details, please download the ON Semiconductor Soldering and
Mounting Techniques Reference Manual, SOLDERRM/D.
http://onsemi.com
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| T95S106K004CSAL | CAP TANT 10UF 4V 10% 1507 |
| R1D12-0512/H | CONV DC/DC 1W 05VIN +/-12VOUT |
| NRS6045T2R3NMGK | INDUCTOR POWER 2.3UH 3.6A SMD |
| T95S105M035CSAL | CAP TANT 1UF 35V 20% 1507 |
| R1D12-0509/H | CONV DC/DC 1W 05VIN +/-09VOUT |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NCP5360AMNR2G | 功能描述:功率驱动器IC NCP5360A 48A SETUP RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| NCP5360RMNR2G | 功能描述:功率驱动器IC INTEGRATED DRIVER MOSFET RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| NCP5366MNR2G | 功能描述:功率驱动器IC INTEGRATED DRIVER MOSFET RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| NCP5369 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Integrated Driver and MOSFET |
| NCP5369MNR2G | 功能描述:功率驱动器IC INTEGRATED DRIVER MOSFET RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
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